简介：片状元件技术的一般趋势是什么？这个问题其实相当简单：片状元件及其包装的大小正在变得更小。事实上，0603包装形式（边长：1．5×0．75mm）是主流。并且0402贴片（边长：10×0．5mm）逐渐地更普通，特别在电信业。

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：在电力半导体器件问世的四十多年以来,国内几乎每当一种新器件上市后都存在这样一种规律:"试用-损坏-再用-再坏……稳定推广"。上世纪60年代的可控硅(晶闸管)被称为"可怕硅",70年代的GTO被戏称为"GT零",80年代的MOS管曾被认为是"摸死管"。这里固然有新器件初期存在的某些不成熟弱点,后来逐渐完善的因素;但是一个十分重要的问题是,应用这些器件的线路装置工作者对这些器件的认识不深。曾经有一些相当资深的应用专家讲过,器件内部怎

简介：本文以IPC／JEDECJ—STD-020和IPC／JEDECJ—STD-033为基础，介绍了潮湿敏感器件在再流焊接中失效的原因和表现以及MSD的分级、处理、包装、运输和使用中的操作要求。

简介：主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。

简介：由於面形阵列封装越来越重要，尤其是在汽车、电讯和计算机应用等领域，因此生产率成为讨论的焦点。管脚间距小於0．4mm、既是0．5mm．细间距QFP和TSOP封装的主要问题是生产率低.然而，由於面形阵列封装的脚距不是很小(例如，倒装晶片小於200μm)，回流焊之后，dmp速率至少比传统的细间距技术好10倍，进一步，与同样间距的QFP和TSOP封装相比，考虑回流焊时的自动对位,其贴装精度要求要低的多。

简介：从焊点的可靠度来讲，空洞现象会给焊点抗疲劳性带来不可估计的风险，比较严重的话，还影响焊点的电气连接与电路导通，所以空洞现象必须引起SMT业界人士的高度重视，了解引起空洞的原因。

简介：

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：

简介：InternationalRectifier（IR）公司日前宣布，他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓（GaN）材料的新一代功率器件技术平台，该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。

简介：介绍全压接结构器件采用负斜角造型的方法，并对使用葫芦串方法腐蚀台面、进口双组份硅橡胶浇注保护台面等关键技术进行分析和讨论。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

简介：近日，深圳恒丰德电子有限公司举行SemiWell新产品技术交流会，吹响了韩国功率器件公司进军本土市场的号角。

简介：信息设备的ESD保护十分重要，而TVS是一种非常有效的保护元件，与其它元件相比，TVS有其独特的优势。文中主要分析了TVS的伏安特性、电压及电流的时间特性和工作原理；并根据不同保护对象可能受到的静电冲击及保护要求的不同，对TVS的选用原则作了较为详细的说明；并分别介绍了TVS在信息设备ESD保护中的电路设置方法；同时讨论了PCB的设计与布局方法。

简介：介绍了SMT回流焊接技术的发展过程、工艺特点及操作方法，针对研发过程中小批量生产的实际情况，给出了SMT生产线的设备配置及工艺流程。

简介：IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。

简介：4.4宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最

简介：近年来，电力电子变换器中功耗产生的热量对整个电路系统的影响越来越得到重视。为了将这些热量能够更好地从器件当中带出来并在环境中散发。文章分析了电力电子器件散热的基本原理，同时对其热路和热阻进行了分析，给出了典型的散热器设计方法，同时提出了一种通用的散热方案。