IR成功研制GaN功率器件技术平台

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摘要 InternationalRectifier(IR)公司日前宣布,他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓(GaN)材料的新一代功率器件技术平台,该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。
作者
机构地区 不详
出处 《变频器世界》 2008年10期
出版日期 2008年10月20日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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