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《变频器世界》
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2008年10期
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IR成功研制GaN功率器件技术平台
IR成功研制GaN功率器件技术平台
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摘要
InternationalRectifier(IR)公司日前宣布,他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓(GaN)材料的新一代功率器件技术平台,该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。
DOI
ldez96mqd3/635789
作者
机构地区
不详
出处
《变频器世界》
2008年10期
关键词
技术平台
功率器件
GAN
IR
氮化镓
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2008年10月20日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
变频器世界
2008年10期
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