简介:摘要: LED 作为一种节能环保的固态半导体光源,已经越来越得到各国政府的重视,优异的性能使其在照明领域扮演着越来越重要的角色。大功率 LED 是目前应用最广泛的,但是传统大功率 LED 需大电流驱动,导致器件出现严重的热耗,光出射效率低, Droop 效应严重,电流扩展差。以上这些现象都会导致器件严重老化甚至烧毁。同时,大电流驱动对于散热铝壳要求比较严格,导致照明灯具成本居高不下,限制了 LED 的照明普及。为了解决大电流驱动带来的问题,人们提出了高压 LED 的概念。简单而言,高压 LED 就是把一个芯片的外延层分割成数个独立的芯粒单元,并通过电极互连而构成的新型 LED 芯片。由于使用的是低电流驱动,高压 LED 器件具有更高的可靠性,同时又简化了匹配电源,可使用具有更少电子元器件的驱动电源,减小了电源中元器件之间能量转换的损失。
简介:近日,中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成(DDS)芯片研制中取得突破性进展,采用0.35μm常规互补金属氧化物半导体电路(CMOS)工艺,研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成(ROM-LESSDDS)高速芯片。目前,这种CMOSDDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位,此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1.2kMHz。