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  • 简介:采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置,对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27.1-29.5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰,对该实验现象进行了讨论。

  • 标签: 纳米硅化铁 同步辐射 X射线研究
  • 简介:采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法,对小于临界尺寸(120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究,在实验压力范围内(0-21.2GPa,0-46.67GPa),纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

  • 标签: 纳米晶体 BATIO3 同步辐射 X射线衍射
  • 简介:采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法,对小于临界尺寸(120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究,在实验压力范围内(0-21.2GPa,0-46.67GPa),纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

  • 标签: 纳米晶 BATIO3 RAMAN散射 同步辐射 高压X射线衍射 钛酸钡
  • 简介:采用金刚石对顶压砧高压装置(DAC)、同步辐射X光源和能散法,对CsBr粉末样品进行了原位高压X光衍射实验,最高压力115GPa。观测到在53GPa左右压力下,CsBr的最强衍射峰(110)劈裂成两个峰,标志简单立方结构向四方结构的转变;在0至最高压力范围内(相应于V/V0为1至0.463)测量了晶轴比c/a;在115GPa内未观测到样品的金属化现象。

  • 标签: 结构 相变 CsBr 同步辐射 X射线衍射 溴化铯
  • 简介:回顾了破前漏(LBB)的发展历史,并分析了LBB在中国的应用前景.分析了关于材料断裂韧性不同的表达方法和测量方法.根据不同国家的实践,分析了LBB对材料性能的要求.

  • 标签: LBB 核设施 材料 断裂韧性 核安全审评
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站的用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:用同步辐射原位高压能散X射线衍射技术,对碳纳米管进行了结构和物性的研究,压力达50.7GPa。在室温常压下,碳纳米管的结构和石墨的hcp结构相似,其(002)衍射线的面间距为d002=0.3404nm,(100)衍射线的面间距为d100=0.2116nm。从高压X射线衍射实验看到,当压力升到8GPa以上,(002)线变宽变弱,碳纳米管部分非晶化。而当压力从10GPa或20GPa卸压至零,(002)线部分恢复。但当压力升至最高压力50.7GPa时,碳纳米管完全非晶化,而且这个非晶化相变是不可逆的。我们用Birch-Murnaghan方程拟合实验数据,得到体弹模量为K0=54.3±3.2GPa(当K’0=4.0时)。

  • 标签: 碳纳米管 X射线衍射 同步辐射 结构
  • 简介:同步辐射已经成为高压研究的一个非常理想的光源。在北京同步辐射装置(BSRF)上、结合金刚石对顶砧超高压实验技术建立起来的能量色散X射线粉末衍射系统,已用于物质状态方程和结构相变的研究。介绍了能量色散衍射方法,以及同步辐射原位测试过程。

  • 标签: 同步辐射 高压条件 能量色散 X射线粉末衍射 原位测试 晶体结构
  • 简介:冲击韧性Cv值是核级设备材料的一项很重要的指标,也是核电材料与常规材料的重要差别之一。本文汇集了各安全等级的设备材料的C值要求,可供核电设备设计、评审时应用。

  • 标签: 冲击韧性 核级设备材料
  • 简介:采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构,其结果表明,二氧化钛与二氧化硅复合后,钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位,不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同,说明经过复合后二氧化钛结构发生改变,并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

  • 标签: 钛硅复合氧化物材料 XAFS 二氧化钛 径向分布函数 近边曲线 X射线
  • 简介:本文介绍了高压输变电工程的环境影响和防护标准,讨论了我国在高压输变电工程环境影响评价中存在的一些问题,尤其是对防护标准的理解和使用的问题,并指出这些问题可能导致出非预期的负面结果。

  • 标签: 输变电工程 环境影响 防护标准
  • 简介:使用部分还原-共沉淀方法制备了平均粒径为3-11nm的球形Fe3O4纳米颗粒,以16:4:1的甲醇-乙醇-水混合溶液作为传压介质和均分散介质,利用金刚石对顶砧装置(DAC)研究了球形Fe3O4纳米颗粒的原位常温高压(0-31.8GPa)XRD谱和纳米颗粒的压致晶格结构变化。

  • 标签: FE3O4 纳米颗粒制备 原位高压XRD 实验
  • 简介:LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向的极性有关。

  • 标签: GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM