简介:利用室温光致荧光谱(PL)研究金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.
简介:摘要:随着社会经济的不断发展,能源的需求量不断增加,为了能够将有效降低能源的损耗,实现能源的可持续发展目标,我国对于节能环保事业的发展尤为的关注。基于科学技术的发展,我国在照明领域开展的环保事业发展取得了一定的成就。例如LED的研发和应用,其在使用的过程中不仅节能环保,同时也体积比较小,且功能时效时间比较长,与普通的照明源对比来讲更具有发展前景。经过技术研发人员的不懈努力,找到了一种能够有效提升LED出光率的新技术,即通过蓝宝石图形化衬底实现LED高出光率的目标,为LED广泛应用于多个领域地奠定了坚实的基础。本文通过对蓝宝石图形化衬底提升LED出光率的机理、表面微结构对LED发光率的影响进行了分析,并探讨了LED蓝宝石图形化衬底的制作过程。