简介：采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。

简介：以水合氯化钌和乙醇钠为原料，首先制备了乙醇钌的乙醇溶液。通过对乙醇钌的乙醇溶液进行雾化，以2：1的氮氧比为载气，在400℃常压条件下沉积了RuO2薄膜。采用XRD和AFM分别表征了薄膜的结构及表面形貌，证实了Ru02薄膜的晶体结构，晶粒尺寸为21．4nm。通过电化学测试，RuO2薄膜的容量可达0．818F／cm2（549F／g），充放电性能良好。经1000次循环测试，剩余容量仍然可达到初始容量的92．1％，同时发现RuO2薄膜具有较低的阻抗，有利于薄膜电容器以大电流快速充放电。

简介：美国威斯康星·麦迪逊大学开发出一项新技术，可用于制造一种新型玻璃，其强度和稳定性比普通玻璃更好。一般情况下，一块玻璃突然冷却，其中分子无法自由运动，从而形成无序结构。而新工艺可让分子进行排列成有序结构。

简介：（一）气相防锈缠绕薄膜的技术要求缠绕薄膜又称弹性膜，还称自粘膜、拉伸膜。它实际是一种在使用时可以利用薄膜自身具有的粘弹性拉伸缠绕，靠薄膜表面的粘弹性和使用时使用的拉张力把物品紧紧的包裹起来，达到保护商品的目的。把气相防锈技术和缠绕膜技术有机的结合起来，即制得气相防锈缠绕薄膜。

简介：文章主要介绍了气相法制备纳米材料的原理,以及气相法纳米合成装置的设计与组装。在气相法制备纳米材料原理基础上,以反应原理简单、可调可控为原则,设计组装了气相纳米合成装置,并研究了其工艺。

简介：R407C、R507A、R404A和R410A混合冷媒按气、液相方式进行充注时,冷媒容器内的冷媒成分会或多或少地随着冷媒容器移充填率的变化而变化.因此,本文建议充注任何混合冷媒时,都应该采用液相方式进行充注,同时为了将冷媒成分变化控制在2%以内,R407C冷媒容器中最后的10%冷媒剩余量不应再进行充注,R507A、R404A和R410A冷媒容器中的最后冷媒剩余量可控制在5%.

简介：阐述了气相合成反应的基本原理，对各种制备方法的特点进行了概述，根据前驱物的不同状态（固、液、气）对制备方法进行了分类，气相法制备的纳米粉体材料具有粒径小、不团聚、无需后续处理的优点，已成为目前纳米制备技术研究的重点。随着新技术、新材料的不断涌现，其工业化技术将具有非常广阔的市场前景。

简介：采用化学浴沉积法在氧化锌种子层上制备了整齐有序且具有c轴取向的氧化锌纳米棒，同时还出现了自由分布的微米棒，其生长速度高于纳米棒，且生长模式符合扩散控制“Ostwald熟化”机制，但纳米棒生长过程的影响因素除扩散过程外还有形核密度、生长界面的反应动力学等。并研究了氧化锌纳米棒的微观结构和光学性质。

简介：1月16日，6400t／a卡博特蓝星气相二氧化硅项目在天津临港工业区奠基。该项目总投资约4000万美元，由卡博特（中国）有限公司（占75％股份）和中国蓝星（集团）股份有限公司（占25％股份）合作建设，计划2010年投产。

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：综述了电沉积技术制备纳米薄膜的研究，介绍了电沉积技术制备纳米膜的基本工艺，讨论了电沉积技术制备纳米薄膜的原理、分类、应用情况，阐述了目前存在的问题，并对今后采用电沉积技术制备纳米薄膜的研究方向提出了一些建议。

简介：等离子体电解沉积是一门新兴的材料表面处理技术。详尽介绍了该技术的工艺机理及其影响因素。用该技术可在有色金属及其合金表面制备陶瓷层，对黑色金属及其合金表面进行快速渗碳、渗氮、碳氮共渗等，从而提高材料的耐磨耐腐蚀等性能。从发展的角度分析了该技术在表面处理行业中的应用优势和市场前景。

简介：类金刚石（DLC）膜是一种含有大量sp^3键的亚稳态非晶碳薄膜。类金刚石膜在化学、电学、热学、光学、生物相容性等方面具有良好性能，是微电子机械、医学、航空、汽车、光学等领域的理想材料，因而引起了人们极大兴趣，具有广阔的应用前景。简单介绍了DLC膜的结构、沉积法及在各个领域的应用与存在的问题。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：通过反相微乳液法制备钡铁氧体（BaFe12O19），研究了反相微乳液法油水比例对BaFe12O19磁学性能的影响，分析了烧结温度对晶相以及晶体形貌的影响，得到了最佳的实验工艺参数，当油相和水相的体积比为6：1时，通过透射电镜观察发现：80℃热处理得到的样品的前驱体颗粒尺寸约40nm；在800℃烧成后得到片状、直径约50～80hm的钡铁氧体，并测得其饱和磁化强度为47．41emu／g，剩余磁化强度为29．01emu／g，矫顽力为22090e，磁滞回线面积为1120708；在900℃热处理还出现了新相BaO2。

简介：采用HSiCl3—NH3—N2（稀释气体）体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积（LPCVD）法沉积出了Si3N4涂层，研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明，在没有稀释气体的情况下，随着沉积温度升高，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，在850℃附近达到最大值，随着反应温度的进一步升高，涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时，在所选温度范围内随着沉积温度的升高，Si3N4涂层的沉积速率一直增大，反应的表观活化能约为222kJ／mol。随着原料中NH3／HSiCl3流量比值的增大，Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加，随后稳定，但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内，Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。

简介：详细总结了采用溶胶-凝胶法、沉淀法、水（溶剂）热法等液相合成法制备纳米SnO2的研究成果和进展，展望了制备氧化锡纳米材料及其作为气敏材料的应用前景。

简介：在传统的二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板的基础上,利用逐级降低电压的方法减薄阻挡层,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪对Pd-Ni合金纳米线的组织形貌、晶体结构和化学状态等进行了表征与测试,结果表明,Pd-Ni纳米线的直径为70nm左右,且纳米线径向表面不够光滑,呈毛刺状,单根纳米线属于多晶结构;Pd-Ni纳米线中Pd：Ni原子比接近为1：1,表明金属Pd、Ni在纳米线中处于简单混合状态。此外,对交流电沉积制备金属纳米线时沉积条件的选择做了简要解析。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：利用喷射沉积工艺制备Al-3．3Fe-10．7Si合金坯，经挤压制成试样。研究了合金组织、韧性及内耗行为，得出该合金在60-250℃温度范围产生的内耗峰，是由于晶界滑动弛豫引起的，弛豫过程激活能为172．2kJ／mol。在内耗峰位置晶界滑动消耗部分振动能，合金韧性在此处出现极大值。