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金属有机化学气相沉积法生长AlN／Si结构界面的研究

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摘要采用金属有机化学气相沉积法在Si（111）衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN／Si界面处存在非晶层，俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散，拉曼光谱测试表明存在Si-N键，另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因，同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。

DOI 54k15w10dk/817409

作者于乃森;苗雨;王勇;邓冬梅;刘东平

机构地区不详

出处《材料导报：纳米与新材料专辑》 2009年2期

关键词金属有机化学气相沉积氮化铝非晶层

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2009年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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