简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

简介：IC切筋技术作为电子封装产业的一项分支技术，在IC产业近年来迅猛膨胀的推动下，得到了飞速发展。针对IC切筋系统多维高性能运动控制的关键技术问题开展了相关研究。介绍了IC切筋运动平台广义并联方式的机械结构和模型，这为控制系统设计提供了很大的帮助。重点介绍了基于PLC技术的电机控制的系统定位、原点搜索和速度控制。视觉自动对准系统由光学照明系统、光学成像系统、CCD摄像器件、图像处理软件和运动控制系统等部分组成，实现图像自动采集，自动定位的目的；最后介绍了LCD图形显示界面。检验报告表明系统运行全自动、切筋速度达到150冲次／min、切筋误差小于0．05mm，该设计控制灵活有效。

简介：在集成电路设计中，可将承担静电放电保护、电平转换、电路驱动等功能的电路组合成接口电路，通过对接口电路的可靠性设计来提高集成电路的可靠性。从电路设计、版图设计、封装设计等设计阶段的特点出发，阐述了各阶段可靠性设计的内容，并总结了一些设计要点和设计准则，提出了可采用接口电路、封装、PCB三者协同设计的方法，以提高接口电路的可靠性。

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：由于SOI（Silicon-On-Insulator）工艺采用氧化物进行全介质隔离，而氧化物是热的不良导体，因此SOIESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI（PDSOI）工艺的数字信号处理电路（DSP）的ESD设计理念和方法，并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析，找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化，并经流片及实验验证，较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。

简介：本文通过调研深入了解了集成电路生产线工艺流程、废水来源及废水组成，介绍集成电路废话水处理工艺流程及原理、主要构筑物和设备以及运转控制条件，列举出主要技术经济指标以及工程设计特点，并且总结了废水处理站实际运行后的经验培训及有关建议，希望对给水排水专业设计人员有所借鉴。

简介：在日前结束的第十一届国际集成电路研讨会暨展览会上，展位超过800个，比去年增长16％，成为中国最大的电子设计盛会。展会主办方环球资源电子业务部总裁马思礼先生在分析2006年集成电路行业的现状时表示，仅消费电子、计算机和通讯三个行业，就将消耗总值达640亿美元的集成电路，而63％的中国电子系统设计工程师已经在自行开发或改进原创电子设计。

简介：在日前举行的“2009IP重用国际研讨会”上，多位业内专家对我国集成电路产业的复苏表现出强烈信心。此前，在金融危机的；中击下，全球集成电路市场明显衰退，中国也出现了负增长局面。

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：

简介：前言随着射频和高速数字集成电路的快速发展,芯片面积越来越小,工作频率和速度越来越高,集成电路的设计已发生了深刻的变化。在封装设计领域,设计工程师们不仅要考虑封装的散热和工艺问题,还要能洞察封装中的各种寄生的电磁效应,确保封装在高速和高频状态下符合芯片的要求。同时,基于市场竞争的需要,还要避免过度设计,以最低的成本满足技术指标的要求。在芯片设计领域,设计人员不仅

简介：中国国内集成电路产值只能满足市场需求的近20％！目前中国集成电路（IC）产业已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格局，出现了长江三角洲、珠江三角洲和环渤海地区三个相对集中的产业区域，建立了多个国家集成电路产业化基地。芯片制造的工艺技术水平已进入国际主流领域，设计和封装技术接近国际水平。但是在全球集成电路产业中，中国仍然处于比较弱小的地位，落后于美国、欧洲。

简介：<正>我国第一个当代制造技术最高水平(12英寸、0.13微米)的超大规模集成电路生产线中芯国际北京项目于2002年9月29日正式启动。该项目总投资12.5亿美元,目前正在进行主体厂房和水、电、气等所有辅助设施建设,其中两个大型厂房和特种气体厂房于2003年年底封顶。2004年初开始设备安装,2004年6月开始试生产。

简介：中国集成电路产业发展现状2003年中国集成电路产业仍然呈现高速增长的势头,全年国内集成电路总产量达到131.4亿块,首次突破100亿块,同比增幅为39.3%.全行业共实现销售收入351.4亿元(折合为42.34亿美元),同比增幅为30.9%.全行业近三年发展状况见表1.

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简介：短期内我国集成电路产品出口以加工贸易为主导的格局还将维持。

简介：文章针对集成电路产品的封装长期可靠性，期可靠性的考评，按照国际标准的要求进行了分析。了研究和总结，并且针对实际产品进行了案例分析。用条件下长期使用的稳定性，有一定的应用价值。

简介：轿车和卡车的电子系统算得上最恶劣的集成电路（IC）应用环境之一。这些IC的封装必须通过一系列严苛程度远超常见消费类以及商业和工业环境的测试。

简介：集成电路制造要经过成百上千个步骤，如果有一个步骤出现问题就会导致产品报废。所以在制造过程中及时发现问题，并给出有效的纠正预防措施就显得非常重要。介绍了在集成电路制造中使用统计过程控制SPC的方法，建立有效的控制规范和合理的监控频率，以便及时发现制程中存在的问题，及早制定出纠正预防措施，减少异常面的扩大。通过案例分析，详细介绍了统计过程控制SPC在集成电路制造中的运用，通过使用统计过程控制SPC的方法逐步提升制程能力，将制程稳定在受控状态。

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