简介:设计了一种结构简单、噪声低、功耗小的溴化镧(LaBr3:Ce)γ谱仪前端读出电子学电路。该电路包括电压灵敏前置放大电路、谱仪放大电路和供电电源3部分,电路的设计基于传统核电子学方法和较新的电子元器件,采用低噪声设计技术,在能谱测量中获得了较高的能量分辨率。文中首先介绍了电路的设计方案,包括各部分电路原理、功能和设计要点;然后开展了电路仿真和电路板设计;最后通过实验进行电路功能验证。实验表明:基于研制的前端读出电子学电路、溴化镧(LaBr3:Ce)探测器及数字多道分析器组成的γ谱仪系统,对137Cs662keVγ能峰的能量分辨率可达2.7%,谱仪系统性能稳定。
简介:P225.294021104脉冲激光测距中电子精密测量=Electronicaccuratemeasurementinpulselaserrange-finding[刊,中]/魏余灵,于善智,刘家鸣,刘桐镇(山东省激光研究所)//电子测量与仪器学报.-1993,7(1).-58~63阐述了恒定时触发器及计时内插扩展技术在脉冲激光测距中精度的提高及误差分析。图7参3(严寒)TB92194021105外腔半导体激光器大尺寸无导轨测长研究=Aresearchonlarge-scalemeasurementusingexternal-cavitysemiconductorlaser[刊,中]/武勇军,李达成,曹芒(清华大学精仪系),张汉一(清华大学电子工程系)//中国激光.-1993,A20(12).-906~909利用平面镜外腔半导体激光器和连续调频波技
简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得