简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方
简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增
简介:生物超微弱光子辐射现象普遍存在于自然界,本文综述该领域主要实验研究及理论研究成果,主要研究装置及应用前景。
简介:测定了在高压条件下两种金属(钙和锌)的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位X光衍射光谱.结果表明,压力对其发光性质产生极大的影响.随着压力的增加,8—羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加,随后发光强度快速下降.到7GPa左右时几乎为零,而8-羟基喹啉锌的发光强度随压力的增加而逐渐降低,到7GPa左右时约为常压的10%。高压下的原位X光衍射结果表明,8—羟基喹啉锌的晶体在3—4GPa开始发生非品化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品的x光衍射完全消失.而8—羟基喹啉锌在压力的作用下(至16GPa)没有发生明显的相变。
简介:O644.197053496吩噻嗪在苯和环己烷中的光化学研究=Photochemicalreactionofdibenzothiazineinbenzeneandcyclohexane[刊,中]/王素华,陈德文,郭建新,王皓(中科院化学所分子动态与稳态结构国家重点实验室.北京(100080))//科学通报.—1996,41(23).—2159—2161用ESR方法研究了吩噻嗪在氧化饱和的非极性溶剂苯、环己烷中的光化学行为,并从理论上作了相关计算,这对于探索氧在吩噻嗪的光物理化学过程中的作用有重要意义。图1表1参7(方舟)O644.197053497光催化氧化后四环素的分解率与COD去除率之间关
简介:TN248.52003010215光泵腔式远红外激光器的工作参数研究=StudyofoperatingparameterofanopticallypumpedcavityNH3far-infraredlaser[刊,中]/冉勇(荆州师范学院物理系.湖北,荆州(434104)),秦家银…//激光与红外.-2002,32(4).-245-247在研究光泵腔式NH3分子远红外激光频谱特性的基础上,应用量子系统的密度矩阵理论,采用迭代法和增益迭加原理计算了以TEACO2-10R(8)泵浦的NH3分子腔式远红外激光器的最佳工作参数。提供了光泵腔式NH3分子远红外激光器(腔式NH3-OPFIRL)的工作参数之间的关系曲线。图4参8(杨妹清)
简介:O644.1899020940基于单光子吸收的PDA光限幅效应=OpticallimitingeffectresultedfromsinglephotonabsorptioninPDAcomposites[刊,中]/王江洪,沈玉全(中科院感光化学研究所215室.北京(100101)),余从煊(北京理工大学化工与材料学院.北京(100081)),宋瑛林(哈尔滨工业大学应用物理系.黑龙江,哈尔滨(150001))∥中国激光.—1998,25(12).—1091-1094采用调QNd:YAG脉冲激光照射PDABS—1/CCl3,HDABS—1/CCl3溶液,研究了此类衍生物对皮秒、纳秒脉冲的光限幅效应,证实了该光限幅效应是单光子吸收的结果.图5参2(赵桂云)