简介：V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型，并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列（LD—Arrays），透镜，双包层光纤（DCF）三者之间间距的关系，同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD，透镜，DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。

简介：

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简介：<正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

简介：Inthispaper,wedemonstratetheacetylehe(C2H2)sensorwithhighsensitivityusingahollow-corephotonicbandgapfiber(HC-PCF).ExperimentsformeasuringC2H2concentrationsingasmixtureareperformed.Usinga2m-longHC-PCFasgascell,thespectrumofacetyleneatn1+n3bandhasbeenmeasured,andtheP11-branchhasbeenselectedforthepurposeofsensing.Aminimumdetectivityof143partspermillionbyvolume(ppmv)forthesystemconfigurationisestimated.

简介：<正>据《今日电子》2003年4期报道,InternationalRecitifer公司推出新型WARP2600V/50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗

简介：有消息称，在即将摊出的新产品中，金山毒霸将放弃合作长达一年之久的俄罗斯Dr.Web引擎，全面启用自行开发的新引擎。同时，新产品一改以前以按年号命名的习惯(如金山毒霸2003)，将被命名为金山毒霸V。从诞生之日起就高举双引擎杀毒大旗的金山毒霸，正在经历一次脱胎换骨的重大改变，而事实

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：TheanalysisofsolarcellperformancehasbeendonebysimulatingtheexternalI-Vcharacteristicsofn^+/p/p^+singlecrystalsiliconsolarcellunderhighlightintensityand1.5airmass(AM).Thismethodallowsthemaximizationofsolarcellefficiency.Tofabricatelow-costn^+/p/p^+singlecrystalsiliconsolarcells,solidsourceofdopedphosphorousandboronwasused.

简介：随着超大规模集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,而静电放电（ElectrostaticDischarge）对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。I/V特性扫描是静电放电试验中必不可少的一环。文章介绍了I/V特性扫描的目的、波形、程序、扫描过程中遇到的问题和应用。

简介：TheconventionaltransmitantennaselectionforVerticalBellLaboratoriesLayeredSpaceTime(V-BLAST)systemisverycomplexbecauseitneedstocomputetheinverseofchannelmatricestimeaftertime.Inthispaper,anewgrouptransmitantennaselectionschemeforV-BLASTsystemisproposed.The1stgrouptransmitantennasaredecidedaccordingtoacertainselectioncriterionamongtheavailableantennas.Then,withGroupInterferenceSuppression(GIS)technology,theinterferencesofthetransmitsymbolsfromtheselectedantennascanbesuppressed.Finally,the2ndgrouptransmitantennasaredecidedamongtheresidualavailableantennas.Simulationsshowthatitsperformanceislowerthanthatoftheconventionalselectionscheme.However,thenewselectionschemehaslowercomplexitythantheconventionalone.

简介：Thesubbandstructures,distributionsofelectronandholewavefunctions,statedensity,opticalgainspectra,andtransparencycarrierdensityoftheV-grooveZn1-xCdxSe/ZnSequantumwiresareinvestigatedtheoreticallyusingfourbandeffective-massHamiltonian,whichtakesintoaccounttheeffectsofthevalencebandanisotropyandthebandmixing.Thebiaxialstraineffectforquantumwiresisincludedinthecalculation.ThecompressivestrainintheZn1-xCdxSewireregionincreasestheenergyseparationbetweentheuppermostsubbands.Theopticalgainwithxy-polarizedlightisenhanced,whileopticalgainwithz-polarizedlightisstronglydecreased.Thexy-polarizedopticalgainspectrumhasapeakataround2.541Ev,withthetransparencycarrierdensityof0.75×1018　cm-3.Thecalculatedresultsalsoshowthatthestraintendstoincreasethequantumconfinementandenhancetheanisotropyoftheopticaltransitions.

简介：今年下半年，苹果新一代操作系统MacOSXv10.3Panther将正式登上Macintosh的舞台。这将是一件你绝不愿意错过的精品。无论你使用的什么型号的Mac机，无论你从事什么行业，Panther都会令你的Mac更加强大，今天我们就先睹为快，提前与大家分享一下这款新品的精彩种种。

简介：<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。

简介：Inthispaper,buildingtogrid(B2G)andvehicletogrid(V2G)havebeendefinedwithclearandpracticalunderstanding.Bothofthemarenewgenerationtechnologieswhicharetheessentialpartofsmartcitylivingandcrowdenergyclustering.Firstly,anin-detailedoverviewhasbeenprovidedwithanintroductiontoB2GandV2Gfollowedbyahistoricaloverviewandtheoreticalanalysisinrespecttosmartcityplanning.Next,areviewisconductedoncurrentandprevioussmartlivingresearch,whichdealswithB2GandV2G.EfficientB2GandV2Gimplementationsinpracticalcasesthenhavebeendiscussed.Lastly,bothofthesetechnicalprospectshavebeenanalyzedincrowdenergydiagram.

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：＊高精密度，灵活性强－0201（0．6mm×0．3mm）-SOIC，PLCC

简介：UltraWideBand(UWB)transmissionsareattractiveforlowpower,basebandasynchronousmultipleaccessandpeer-to-peerwirelesscommunications.MultipleInputMultipleOutput(MIMO)technologyisusefulincombatingagainstmultipathandatthesametimeimprovessystemperformancebyusingmultielementantennasatbothtransmitterandreceiver.ThisletterproposesatimehoppingM-aryUWBsystemsusingV-BLASTalgorithm,andpowercontrolisconsideredforbetterperformance.Simulationsareprovidedtocompareperformancewithdifferentantennas.