简介:TN2532003021143光纤电压传感器最新进展=Recentadvancesinfiber-opticvoltagesensors[刊,中]/唐丽杰(北方交通大学光波技术研究所.北京(100044)),吴重庆…//半导体光电.—2002,23(4).—228-232综述了光纤电压传感器近年来国内外的最新研究进展,包括可用于SF6绝缘高压开关的光纤电压传感器、频率调制型的光纤电压传感器以及光控灵敏度的光纤电压传感器。介绍了国内在光纤电压传感器方面的研究进展,包括以DSP为信号处理芯片的BGO晶体的光纤电压传感器,以及应用光纤传感器机理来测试脉冲电压和电场的方法,并对光纤电压互感器暂态信号处理的原理进行了研究,试验证明可以满足继电保护的要求。图10参
简介:摘要:本文旨在探讨高分子材料在电子器件中的应用与功能优化,以提高电子器件的性能和功能。介绍了高分子材料在电子器件中的重要性和广泛应用。分析了目前高分子材料在电子器件中存在的问题和挑战。然后,阐述了优化高分子材料在电子器件中的功能的方法和策略,包括材料合成、器件设计和性能优化等方面。最后,通过实验案例和应用实践,总结了高分子材料在电子器件中应用与功能优化对电子器件性能提升的积极影响。
简介:TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]/王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅//红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)
简介:TN3622003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=IncidentangledependenceofquantumefficiencyofGaAsbasedRCEphotodetectors[刊,中]/梁琨(中科院半导体研究所.北京(100083)),杨晓红…//光子学报.-2003,32(5).-637-640采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060nm及1310nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度,器件谐振接收波长可在大范