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600V/50A不穿通的IGBT

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摘要 <正>据《今日电子》2003年4期报道,InternationalRecitifer公司推出新型WARP2600V/50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗

DOI lder5km943/1563741

作者郑冬冬

机构地区不详

出处《半导体信息》 2003年3期

关键词大电流开关穿通 SMPS IGBT 硅晶片今日电子

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2003年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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