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29 个结果
  • 简介:利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁畴,发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiAsO4晶体铁畴的原于力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁畴的机制与消除进行了理论讨论。

  • 标签: 原子力显微镜 KTiOAsO4晶体 铁电畴 铁电晶体 化学腐蚀光学显微法
  • 简介:以PbO,MgO,Nb2O5,TiO2为原料,采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0.92PMN-0.08PT陶瓷,并对其相的组成、微观形貌、介性能和储能性能进行了研究。在25℃,1kHz条件下,该陶瓷的相对介电常数高达27480,介损耗tan艿仅为4%,滞回线形状细长,剩余极化很小,可释放的能量密度达0.31J·cm-3.结果表明:室温下该陶瓷具有优良的介和储能性能。

  • 标签: PMN—PT陶瓷 介电性能 介电常数 能量密度
  • 简介:采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁存储器是不利的。

  • 标签: 铁电薄膜 缓冲层 界面 极化对称性破缺
  • 简介:利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156+156*0.18mm的多晶硅太阳能电池片进行划片实验,得到了不同调Q频率和电池片性能参数的关系,从而找出了Q开关的最佳频率范围值,并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳能电池片性能参数差异的原因。

  • 标签: 调Q频率 激光划片 开路电压 短路电流 填充因子
  • 简介:采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12(BIT)薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

  • 标签: BI4TI3O12 铁电薄膜 Z-SCAN 三阶非线性光学
  • 简介:制备了金属-铁层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

  • 标签: 铁电存储器 MFIS 存储窗口 疲劳 保持 BNT
  • 简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

  • 标签: ZnO基压敏电阻 金属氧化物掺杂 缺陷 电子密度 电性能