简介：近日．全球打印成像的领导者惠普推出一款全新专业级照片打印机——HPPhotosmartProB8338．在惠普公司一贯秉持的高科技和专业性的衬托下．HPPhotosmartProB8338带来更加鲜艳亮丽的彩色打印和更加清晰锐利的黑白打印效果．让照片打印质量再次升级。并凭借108年的照片保存时限、13×19英寸的震撼宽幅打印、4800×1200dpi的最佳彩色打印分辨率、最快26秒的照片打印速度……迅速博得专业人士和发烧友们的喜爱。

简介：摘要本文利用贵南高铁都安隧道采集的断面数据进行三维激光扫描仪及全站仪的断面测量精度和断面测量的效率进行对比，得出三维激光扫描仪进行断面扫描精度能够满足断面扫描的要求，效率可以得到极大的提高的结论。

简介：采用锁定于Cs原子D1线Fg=4→Fe=3跃迁能级的894nm激光极化了填充有Cs原子和4He原子混合原子吸收室中的Cs原子,然后通过Cs原子和4He原子的自旋交换作用使得亚稳态4He原子产生极化。这种采用间接方式实现4He原子极化的方法,可以避免4He原子与光源直接作用产生的光频移,能够非常有效地减小共振线宽和实现高准确度磁场测量。设计了自旋极化的亚稳态4He原子在磁场中的拉莫尔频率检测电路以实现磁场测量。

简介：传统的印刷行业，在现代科学技术飞速发展的今天，日益受到一种以“随时、随量和可变数据印刷”为特点的新型印刷方式——数码印刷的冲击。随着计算机技术、数字技术和网络技术应用的日益广泛，数字印刷市场迅速扩大，呈日趋活跃的态势。前不久我们了解到全球著名高科技公司HP针对数码印刷领域，提出“数码商机全面印对”向印刷业用户推出数码印刷全面解决方案。为了进一步了解HP数码印刷的市场目标和战略规划，本刊专门走访了中国惠普有限公司打印与成像系统集团的业务发展经理黎兵先生。

简介：2007年4月20日，深圳——冲电气工业株式会社（以下简称OKI）、冲信息株式会社以及冲电气实业（深圳）有限公司联合报道．OKI集团在中国当地生产ATM（自动柜员机）及打印机的冲电气实业（深圳）有限公司（董事长，杉本晴重、以下简称OSZ）此次完成了迁厂工作。目前该公司已入驻在深圳市南山区百旺信工业区新建设完工的工厂，

简介：在阐述主动锁模掺铒光纤环激光器的锁模原理与锁模脉冲生成机制的基础上,进一步论述了阻碍主动锁模掺铒光纤环激光器实用化的两种稳定性问题,并提出了一些相应的解决方案.

简介：随着数字化版材的国产化以及CTP技术在中国市场的成熟．越来越多的印刷企业开始应用CTP技术，还有更多的印刷企业正在面临CTP系统的选择。如何在提升品质的同时．兼顾成本、效率？北京北大方正电子有限公司（以下简称“方正电子”）于4月10日、11日两天在ChinaPrint2007中国（广东）国际印刷技术展览会期间举办了主题为“尽善尽美精益求精”方正畅易紫激光CTP用户开放日活动，

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：21世纪是技术与服务结合的竞争时代。是数字化的时代。

简介：本文采用负电源纯模拟电路方案对长波段掺铒光纤放大器(L-bandEDFA)的980nm泵浦激光器的驱动电路和温度控制电路进行了设计和调试,得到符合设计要求的结果.并以此为基础对我们自制的L-bandEDFA进行了实验测试,取得了令人满意的结果.

简介：近年来．随着信息化、数字化技术的发展．顾客对快速、可变、按需、网络化印刷／打印的需求不断增长．传统印刷方式受到了极大的冲击。个性化和增值服务成为企业获得竞争优势的关键所在。按需印艺技术的应用正好为满足不同客户需求、拓展新市场提供了绝佳的机会。需求驱动市场．为适应整个数码印刷行业的发展．数码设备生产商们轮番上阵．纷纷推出适合小型印刷社、广告公司、图文输出公司等数码快印企业和大型办公机构的专业生产型打印机。05年11月初．商用打印解决方案专业厂商OKI公司（OKIPintingSolutions）应需面向数码快印行业和大型企业用户推出了两款性价比极高的新品OKIC9600／C9800专业生产型高速彩色数码打印机．为数码快印领域提供了更多选择。

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。