来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓(GaAs)量子点(QD)激光器中电泵激1.3μm砷化铟(InAs)的材料生长工艺,该砷化镓衬底是利用分子束外延技术(MBE)直接生长在同轴(001)硅衬底上的。
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2018年3期