简介:当前,各国越来越重视发展和保护本国的海洋权益,利用宽带雷达获取舰船目标的高分辨距离像并进行舰船类型识别逐步成为研究热点。船长是舰船的重要特征信息,对于判定舰船的类型和威胁等级具有重要意义。由于海杂波的时变和复杂性,利用信噪比门限方法确定距离像中舰船目标的边界并估计船长是不稳健的。从舰船类大刚体目标与海表面的运动特征差异出发,详细阐述了基于高分辨距离像多普勒谱分析的舰船长度估计方法,对不舍目标距离单元和含目标距离单元多普勒谱的特征差异进行分析。提出分别利用多普勒谱的归一化波形熵特征和距离滑窗内距离单元的多普勒中心频率的均方差特征判定距离单元中目标的有无,实验结果证明了所提方法的有效性。
简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。