简介:通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。
简介:德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特/s(40Gbit/s)的单VCSEL(垂直腔面发射激光器)。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上,该公司刚介绍了其20吉比特/s的器件,目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特/s连续传输,这是850hm(波长)光发射的刨记录器件,是用与20吉比特/sVCSEL相同的光刻掩模研制的,但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点,并嵌入到AlGaAs基体中。