简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:摘要 :设计了一 种电力运行模拟系统 ,该系统通过可视化编程语言 AS3.0和多种存储方式相结合的方法来实现各种数据的存储和读取 ,应用于实践工程后用户反映良好。现阐述了该系统的功能和实现方法 ,并详细介绍了 ACCESS存储方式。
简介:第Ⅰ卷(三部分,共115分)第一部分听力第一节(共5小题,每小题1.5分,满分7.5分)听下面5段对话。每段对话后有一个小题,从题中所给的A、B、C三个选项中选出最佳选项,并标在试卷的相应位置。听完每段对话后,你都有10秒钟的时间来回答有关小题和阅读下一小题。每段对话仅读一遍。1.Whatdoesthemanwanttodo?A.Hewantstocallupthewoman.B.Hewantstobookseveralticketsforhischildren.C.HewantstobooksometicketsforSunday.2.Inwhichwaycanthemangethischange?A.Thewomangetshimhischange.B.Hegetshischangebyfindingachangemachine.C.Hegoestoabank.3.Whycan’tHelengototheconcertwiththeman?A.Becauseshehastoprepareherpapers....