简介：2007年1月29日，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔。酷睿TM2双核、英特尔一酷睿TM2四核以及英特尔。至强。系列多核处理器中，将置人数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有5种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45nm处理器产品的第一批。
简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。
英特尔发布晶体管技术重大突破为40年来计算机芯片之最大革新
ST推出新款的MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管提升高能效转换器的功率密度
