简介:P225.294021104脉冲激光测距中电子精密测量=Electronicaccuratemeasurementinpulselaserrange-finding[刊,中]/魏余灵,于善智,刘家鸣,刘桐镇(山东省激光研究所)//电子测量与仪器学报.-1993,7(1).-58~63阐述了恒定时触发器及计时内插扩展技术在脉冲激光测距中精度的提高及误差分析。图7参3(严寒)TB92194021105外腔半导体激光器大尺寸无导轨测长研究=Aresearchonlarge-scalemeasurementusingexternal-cavitysemiconductorlaser[刊,中]/武勇军,李达成,曹芒(清华大学精仪系),张汉一(清华大学电子工程系)//中国激光.-1993,A20(12).-906~909利用平面镜外腔半导体激光器和连续调频波技
简介:通过溶胶-凝胶法、离子束磁控溅射法和化学腐蚀法分别制备了PZT薄膜、PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3/Ni(PZT/Ni)复合薄膜材料的鼓包样品。采用X射线衍射仪(X-raydiffraction,XRD)表征了PZT/Ni复合薄膜材料的物相结构;利用自主研制的多功能新型鼓包测试平台,在力场、电场、磁场作用下分别测试分析了PZT/Ni复合薄膜材料体系的力电磁耦合性能。结果表明:随着电场强度的增加,PZT薄膜的弹性模量E先增大后减小;PZT/Ni复合薄膜在电场作用下实现了电磁调控,矫顽磁场强度Hc提高了33.4%;随着测试平台油压的增大,PZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别增加了17.1%和32.1%,PZT/Ni复合薄膜的矫顽磁场强度提高了46.1%。