简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：摘要：对半导体封装工艺的研究，先探析半导体工艺概述，能对其工作原理有一定的了解与掌握；再考虑半导体封装工艺流程，目的是在作业阶段严谨管控，能采用精细化管理模式，在细节上规避常规问题发生；再从新时代发展背景下提出半导体封装工艺面临的挑战，建议把工作重心放在半导体封装工艺质量控制方面，要对其要点内容全面掌握，才可有效提升半导体封装工艺质量。

简介：摘要：对半导体封装工艺的研究，先探析半导体工艺概述，能对其工作原理有一定的了解与掌握；再考虑半导体封装工艺流程，目的是在作业阶段严谨管控，能采用精细化管理模式，在细节上规避常规问题发生；再从新时代发展背景下提出半导体封装工艺面临的挑战，建议把工作重心放在半导体封装工艺质量控制方面，要对其要点内容全面掌握，才可有效提升半导体封装工艺质量。

简介：摘要：半导体封装工艺作为半导体产业中不可或缺的一环，对于保护芯片、提高性能、降低成本等方面都具有至关重要的作用。本文旨在深入分析半导体封装工艺的研究现状与发展趋势，探讨其面临的挑战与机遇，为相关产业的发展提供有益的参考。

简介：作者汇集国际会议相关外文论文，结合作者在华为等企业的工作实践，撰写此文，供同行参考。本文介绍了PoP（PackageonPackage）叠层封装的基本结构，SMT工艺模式和SMT组装工艺过程，重点介绍了PoP叠层封装的助焊剂／锡膏的浸蘸工艺过程，介绍了浸蘸锡膏材料及浸蘸锡膏的特性要求，PoP再流焊温度曲线的设定，对预制PoP~O在板PoP热循环疲劳结果分析。从底部填充材料选择、填充空洞、底部填充可靠CtgE3个方面介绍了PoP器件的底部填充效果和工艺。介绍了0．4mm细间距PoP器件的sMT组装工艺过程，及相关工艺参数的设定。介绍了0．4mm穿透模塑通孔（TMV）结构PoP器件的空气气氛下的再流焊工艺过程及相关工艺参数的设定。从对焊接缺陷、PoP封装各层状况和翘曲测量方面来介绍如何进行PoP器件的X线检测。从共面性和高温翘曲、温度循环、跌落冲击和弯曲疲劳4个方面介绍了0．4mmPoP器件的可靠性。本文最后介绍了PoP器件的清洗。

简介：摘要：本文对半导体封装工艺技术和封装过程进行了介绍，并且探讨了半导体封装工艺。

简介：摘要制造而成的晶圆需经过测试，并进行芯片的封装和测试才能够完成半导体的生产加工。半导体封装指的是晶圆经过测试合格以后，以产品功能和具体的型号为基础，对独立芯片进行加工的整个过程。半导体封装工艺技术的不断创新，极大的推动了半导体设计领域的发展。鉴于此，本文首先对半导体封装分类进行了分析，并对典型的半导体封装过程及工艺技术展开了研究，以供参考。

简介：文章主要是对大功率LED芯片封装技术进行介绍。包括了大功率LED的封装要求、封装的关键技术、封装的形式,大功率LED封装技术的工艺流程简单介绍。

简介：塑封集成电路在高可靠性领域应用越来越广泛，国内已有相当数量的塑封集成电路应用于国防领域。但是，目前大部分关键塑封集成电路依赖进口，采购渠道不是很通畅，市场中存在大量的翻新件。文章基于塑封集成电路封装工艺，简要介绍如何识别翻新塑封集成电路。

简介：<正>与现行的陶瓷和层压模块等封装解决方案相比,专为高集成度RF模块而设计的CSP(chip—scalepackaging,芯片规模封装)封装工艺—Pyxis平台有望使封装的成本、高度和面积分别下降50%、60%和75%。由封装工艺开发商美国的Tessera公司推出的此项技术能够将RF模块与功率放大器、收发器、滤波器以及开关等周边电路结合起来。与传统的9mm×10mm大小的层压式封装相比,Pyxis技术将无源器件以及所需衬

简介：摘要本文从半导体封装的目的入手，分析当前半导体封装技术的发展趋势，简要介绍半导体封装工艺质量控制对策，旨在采用先进的管理手段提高半导体封装质量，降低产品生产成本，促进报道提生产企业可持续发展。本论文针对半导体封装工艺的质量控制对策展开研究。

简介：微电子封装过程中产生的沾污严重影响了电子元器件的可靠性和使用寿命。文中研究了用微波等离子清洗封装过程中产生的沾污。研究结果表明,微波等离子清洗能有效增强基板的浸润性,降低芯片和基板共晶焊界面的孔隙率,同时也能清除元件表面的氧化物薄膜和有机物沾污,经过等离子清洗,其键合焊接强度和合金熔封密封性都得到提高。

简介：摘要：本研究针对UV-LED封装行业中峰值波长350nm以下的UV-LED产品出光效率低的问题，提出了一种优化LED封装工艺的方法。当前市场上的UV-LED封装产品通常采用带坝体的垂直结构基板进行封装，但由于UV芯片的特性，横向光输出较强，垂直方向光输出较弱，导致封装后的器件出光效率低下，光损失严重。为了解决这个问题，本研究在围坝部件内设置了反射面，用于反射发光元件侧面发出的光线。通过将发光元件发出的光线经由与第一端面夹角的反射面反射，大部分横向发出的光线被反射到透光元件处并从透光元件发出，从而有效提升UV-LED器件的出光效率，减少光损失。

简介：采用粘塑性Garofalo—Arrhenius模型描述无铅焊料的蠕变行为，确定了96．5Sn3.5Ag焊点材料的模型参数。采用与固化过程相关的粘弹性力学模型描述倒装焊底充胶的力学行为。利用有限元法模拟了无铅板上倒装焊在封装工艺及热循环条件下的应力应变行为。结果表明由于无铅技术在封装中的引入，封装工艺对倒装焊器件的影响更为重要。

简介：摘要：在微电子封装高速发展的今天，轻、薄、短、小是目前电子封装技术发展的趋势，互连焊点的可靠性研究对微电子封装与组装技术具有重要的意义。而焊点的形态是影响可靠性的重要因素，通过改变焊点形态可以显著提高其可靠性。基于此，本文主要对倒装芯片封装工艺中焊点可靠性进行分析探讨。

简介：摘要：半导体集成电路芯片以封装为外壳，针对芯片来讲，封装的重要性不容忽视，它不仅可以促进导热性能的增强，同时还能够对芯片起到保护作用。因此，加强对半导体封装工艺技术的研究，有助于提升封装工作效率，保证工作质量。制造而成的晶圆需经过测试，并进行芯片的封装和测试才能够完成半导体的生产加工。半导体封装指的是晶圆经过测试合格以后，以产品功能和具体的型号为基础，对独立芯片进行加工的整个过程。半导体封装工艺技术的不断创新，极大的推动了半导体设计领域的发展。鉴于此，本文首先对半导体封装分类进行了分析，并对典型的半导体封装过程及工艺技术展开了研究，以供参考。

简介：摘要：由于BIPV双玻组件生产成本高、制作流程复杂，所以光伏企业选用EVA胶膜来制备双玻组件，不仅能够将制作流程予以简单化，还能够降低损耗，提升生产效率，同时还可以防止双玻组间产生气泡、缺胶、移位等问题。EVA中含有33%的VA成分，利用熔融共混挤出的方式掺入抗氧剂、紫外光稳定剂、紫外光吸收剂、交联剂与增粘剂，并将其进行热压，就能够获得EVA胶膜。本文主要针对双玻组件使用EVA胶膜的制备、封装工艺进行深入研究，以供参考。

简介：摘要：高功率逆变器是电动汽车电机驱动系统中的关键核心部件之一，传统的逆变器芯片与基板的连接工艺难以满足汽车对热冲击、热压力等可靠性的要求。为保证汽车电机驱动系统的正常稳定运行，铜柱封装技术被应用于高功率逆变器芯片与基本的连接。至今，工业上铜柱封装工艺存在铜柱共面性低的问题。本文针对行业这一瓶颈性问题展开研究，提出实现优质铜柱电镀的工艺方案。研究发现，辅助阴极是提高铜柱共面性的关键途径，此方法有助于提高逆变器性能和可靠性。

简介：摘 要：随着电子、电力技术的发展，军工、民用功率器件质量可靠性受到了大家关注和重视，除晶圆制造外，功率器件封装工艺对器件质量可靠性影响尤为重要，后部封装工艺主要包括三方面，其一为烧结工艺（粘片、共晶粘片），其二为键合工艺（焊线），其三为封帽工艺（密封）。本文主要阐述封装工艺对器件质量可靠性有哪些影响因素。

简介：摘要：本文旨在探讨电容器封装工艺对电容器电性能的影响，并结合实际案例分析不同封装工艺对电容器性能参数的影响。电容器作为电子元件中常见的电子储能装置，在封装过程中的工艺控制对其电性能具有重要影响。通过对不同封装工艺的比较分析，可以为电容器封装工艺的优化提供参考，提高电容器的性能和可靠性。