简介:SiGe(硅锗合金)BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。
简介:首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。
简介:天气雷达信号处理过程中,回波信号经谱矩估计得到反映气象目标信息的平均回波功率、平均径向速度和速度谱宽等信息参数,但是处理得到的回波数据中不仅包含有用回波数据,而且保留有地物杂波、系统噪声和失真回波数据等干扰回波,它们严重影响雷达数据质量。但是干扰回波和降水回波是有很明显的信号特征差异的,比如信号强度和信号相干性,根据这些特征参数可以有效识别干扰回波数据,选取信号特征差异比较明显的参数进行研究,通过设置门限阈值,对谱矩估计得到的基数据进行质量控制。实际处理结果表明,通过联合使用多种门限参数能够有效识别和滤除各种干扰回波数据,天气雷达基数据质量得到明显改善。
简介:本文就运用于某型号雷达中,微波多层印制电路板制造用原材料的泰康利公司高频介质材料TSM—DS3,进行了性能及特点介绍。在此基础上,对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28,制造一种微波电路板的先进工艺技术、以及质量管控技术,进行了较为详细的介绍。最后,还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述,其中包括有TSM—DS3高频材料的多层化实现技术、TSM—DS3—500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、TSM—DS3高频材料的变形控制技术、TSM—DS3高频材料多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术,以及TSM—DS3高频材料多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。
简介:为了有效地评价图像质量,该文提出一种应用人眼视觉特性的全参考图像质量评价方法。该方法主要考察了人眼的两个视觉特性,即韦伯定律和视觉注意机制,并利用这两个特性计算对应的差异激励图和视觉显著性图,将其作为能够反映图像失真的特征图,同时考虑了观察因素的影响,最后得到了失真图像的质量评价指标。实验结果表明,该方法在LIVE、CSIQ和LIVEMD三个图像库上有很好的表现。三个图像库的加权平均结果显示,本文方法的表现优于所有对比方法,包括近期提出的GMSD和VSI方法,说明本文方法的评价结果与主观感知不仅具有更好的一致性,而且具有很好的通用性和鲁棒性。