简介：在研发一套基于0．18μm工艺的全新半导体芯片时，由于芯片工艺的要求我们将标准0．18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN＋SION改为SIN，但却引进了PID（等离子体损伤）的问题。当芯片的关键尺寸减小到0．18μm时，栅氧化层变得更薄，对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变，于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤，因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化，使得PID处于可控范围内，保证了量产的芯片质量。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：安森美半导体和Catalyst半导体宣布，已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议，交易将全部以股票支付，Catalyst股东每持有1股普通股将获得0．706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1．15亿美元，企业价值约为0．85亿美元。

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：为实现“十一五”期间重庆市IT产业突破性的跨越式发展，加强半导体行业企业间的协作与沟通，促进重庆与其他省市、乃至世界各地在半导体产业方面的交流与合作，推进重庆市半导体产业的全面、快速发展，日前，由重庆市信息产业局牵头，多方共同努力筹建的重庆市半导体行业协正式成立。

简介：随着社会的进步和科学技术的迅猛发展,对洗净技术的要求也越来越高.清洗方式多种多样,但最主要的是突出在喷射清洗和超声波清洗两大方面,应用于全国各行各业,并且也得到了明显进步.

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简介：<正>为了降低生产成本,国际半导体制造商以及封装测试代工企业纷纷将其封装产能转移至中国,从而直接拉动了中国半导体封装产业规模的迅速扩大。同时,中国芯片制造规模的不断扩大以及巨大且快速成长的终端电子应用市场也极大地推动了中国半导体封装产业的成长。两方面的影响,使得中国半导体封装业尽管受到金融危机的影响,但在全球半导体封装市场中的重要性却日益突出。

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简介：半导体器件支撑着庞大的信息产业,而半导体器件93%以上是硅器件,它们以硅片为基础材料。本文将叙述半导体器件和硅片在世界与国内的生产状况和需求量,并对我国硅材料企业满足市场能力进行分析。2001年世界半导体器件生产低落,

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简介：<正>到2006年或2007年,索尼的数字家电产品中使用的半导体的内制比率将从2003年的约20%提高到40%以上。这是索尼顾问牧本次生2004年9月3日在东京举行的"2004东京国际数码会议"发表的演讲中透露的。

简介：<正>根据美国半导体产业协会最新公布的年报,全球半导体销售2002年将增长1.8%,达1410亿美元,2003年的增长率将为19.8%,达到1690亿美元;2004年将增长22%,达2060亿美元;2005年可望维持在2004年的水平,2060亿美元。2002年闪存全球销售将增长0.7%,达77亿美元;2003年可望增长39%。微处理器

简介：山东华芯半导体有限公司与山东信息通信技术研究院管理中心日前正式签署协议，其运营管理的山东华芯集成电路设计研发中心，入驻山东信息通信技术研究院，开展研发工作。这意味着高新区在打造集成电路产业高地方面又迈出了重要一步。

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简介：<正>在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMGCMOS制程。此成本问题

简介：随着半导体设备市场的快速发展、我国从事半导体设备开发和生产的企业正在迅速增加，2003年从2002年的40个发展为接近60个(包括兼作)，其中主要单位20家左右。大部分单位从事序和后工序设备研制，材料制备设备、净化设备、半导体专用工模具、检测设备、试验设备和半导体设备零部件也各有一些单位在研究和生产。一些企业已开始在中国设厂，为行业的发展注入了活力。

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：<正>我国半导体封装业相比IC设计和制造最接近国际先进水平,先进封装技术的广泛应用将改变半导体产业竞争格局,我国半导体封装业在"天时、地利、人和"有利环境下有望在国际竞争中实现"弯道超车"。半导体封装地位提升随着摩尔定律的不断微缩化以及12英寸替代8英寸晶圆成为制程主流,单位芯片制造成本呈现同比快速下降走势。而对于芯片封装环节,随着芯片复杂度的提高、封装原材料尤其是金丝价格的上扬以及封装方式由低阶向高阶的逐