简介:当前,世界正在进入以信息产业为主导的新经济发展时期。世界主要国家纷纷把发展数字经济作为谋求竞争新优势的战略方向,围绕基础设施建设、数据资源掌控、融合应用发展等领域出台国家战略和优先行动,抢占未来发展制高点。以习近平总书记为核心的党中央高度重视发展数字经济,党的十九大报告明确提出,要建设网络强国、数字中国、智慧社会,推动互联网、大数据、人工智能和实体经济深度融合,发展数字经济、共享经济,培育新增长点、形成新动能。2018年4月,在全国网络安全和信息化工作会议上,习近平总书记再次强调,要发展数字经济,加快推动数字产业化和产业数字化,释放数字对经济发展的放大、叠加、倍增作用。因此,迫切需要加快推进我国数字经济发展,推动形成互联网与实体经济深度融合的供给结构新格局,努力实现我国经济发展由数量扩张向质量提升的战略性转变,进一步增强我国经济供给质量和综合国力。
简介:随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCMOSFET进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiCMOSFET的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiCMOSFET的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCMOSFET均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiCMOSFET电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。