简介：

简介：CCLA（中国电子材料行业协会覆铜板材料分会）在《“十二五”覆铜板发展建议书》中，建议“十二五”期间，在覆铜板的科技发展方面，应继续努力提高我国覆铜板的技术水平，研发并量产几类高技术覆铜板及相关材料。因为这几类材料当前几乎都成了制约我国电子整机发展的瓶颈，其技术目前都垄断在美国、日本两个覆铜板技术强国中。我国覆铜板未来跟进或突破这些技术意义重大，将使我国由覆铜板大国跻身于覆铜板强国之列，推动我国向电子强国迈进的步伐。这些材料有一项就是封装基板用覆铜板及相关材料。

简介：介绍了半导体封装模具偏错位种类，分析了偏错位缺陷产生的原因，并针对偏错位总结了几种相应的纠正措施、改善解决方案，指出应从模具设计、材料选择、模具温度设置调整、定位零件设计、总检与控制等各方面系统优化解决。

简介：在研发成功低吸水性分子主链和捕捉金属离子型树脂的基础上．研制成功了绝缘可靠性优良的薄型IC封装用无卤素覆铜板基材。因为这种材料当绝缘层厚度为40μm时就有良好的绝缘可靠性．所以能实现厚度为100μm封装结构基板。而且在无卤素的情况下能达到UL94-V级的阻燃性，并能做到符合环保要求的无铅焊锡装配。

简介：介绍了刚-挠结合型印制电路板封装技术的原理、做法和在空间技术中应用的重要意义。

简介：集成电路和芯片的封装技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。由于传统的金属封装材料不能满足现代封装技术的发展需要，向金属基体内添加低热膨胀系数的陶瓷或其它物质制成金属基电子封装复合材料已成为金属基复合材料今后重点发展的方向之一。本文阐述了金属基体、增强体及其体积分数、制备工艺对复合材料热性能的影响。

简介：本文主要介绍日立化成的研发者们采用分子模拟技术等手段研发了多芳性环型低CTE树脂,通过制作的低热膨胀系数的基材验证了低CTE效果。可以应用于半导体封装结构的应用,减少封装结构的翘曲。

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简介：AComputationalStudyofGasPhaseChemistryinCarbonNanotubeSynthessbyPECVD;AfieldpointbasedapproachforsensorconditioninginMO-CVDreactors;AMethodforReal-TimeControlofThinFilmCompositionUsingOESandXPS;Amechanism-basedmodelofchemicalvapordepositionofepitaxialSi{sub}(1-x)Ge{sub}xflirts

简介：SY509-3-196[篇名]Anovelstrainedsurface-channelpMOSFETSi{sub}0.7Ge{sub}0.3withanALDTiN/AI{sub}20{sub}3/HfAIO{sub}x/AI{sub}20{sub}3gatestack；SY509-3-197[篇名]Aquantitativestudyofthenano-scratchbehaviorofboronandcarbonnitridefilms；……

简介：[篇名]1.55-umsilicon-basedreflection-typewaveguide-integratedthermo-opticswitch,[篇名]120×90ElementThermoelectricInfraredFocalPlaneArraywithPreciselyPatternedAu-blackAbsorber,[篇名]4H-SiCEpitaxialGrowthfcrHigh-PowerDevices,[篇名]A90nmgenerationcopperdualdamascenetechnologywithALDTaNbarrier,[篇名]Acomparativemicrotribologicalinvestigationofdiamond-likecarbonfilmsforapplicationsinmicrosystems,[篇名]Acomparisonofmicrocrystailinesiliconpreparedbyplasma-enhancedchemicalvapordepositionandhot-wirechemicalvapordeposition:electronicanddeviceproperties.

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简介：某导弹发射装置挂弹飞行时，多次出现减振装置失效现象。本文对减振装置的工作原理、摩擦系数和结构尺寸链进行了分析。结果表明，减振装置失效的原因是滑动槽中干膜润滑剂使摩擦系数变小以及尺寸链中防振片的预压量大，使飞机在较大过载时易产生防振片收起而导致减振失效。在此基础上，通过清除滑动槽中干膜润滑剂，将防振片预压量进行削减等改进措施，解决了防振片收起的问题，有效地避免了减振装置的失效。

简介：采用气压浸渗法制备中体积分数电子封装用Al/Si/SiC复合材料。在保证加工性能的前提下,用与Si颗粒相同尺寸（13μm）的SiC替代相同体积分数的硅颗粒制得复合材料,并研究其显微组织与性能。结果显示,颗粒分布均匀,未发现明显的孔洞。随着SiC的加入,强度和热导率将得到明显提高,但热膨胀系数变化较小,对使用影响也不大。讨论几种用于预测材料热学性能的模型。新的当量有效热导被引入后,H-J模型将适用于混杂和多颗粒尺寸分布的情况。

简介：采用液固分离工艺制备高SiC体积分数Al基电子封装壳体（54%SiC，体积分数），借助光学显微镜和扫描电镜分析壳体复合材料中SiC的形态分布及其断口形貌，并测定其物理性能和力学性能。结果表明：SiCp/Al壳体复合材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中。复合材料的密度为2.93g/cm^3，致密度为98.7%，热导率为175W/（·K），热膨胀系数为10.3×10^-6K^-1（25~400℃），抗压强度为496MPa，抗弯强度为404.5MPa。复合材料的主要断裂方式为SiC颗粒的脆性断裂同时伴随着Al基体的韧性断裂，其热导率高于Si/Al合金的，热膨胀系数与芯片材料的相匹配。

简介：作者研究了微胶囊红磷对环氧树脂基电子电气封装材料的阻燃性能、力学性能及抑娴性能的影响。添加微胶囊红磷10份量即可使材料的阻燃性能达UL94V-0级，氧指数(LOI)从19．5上升到28．2；添加量在一定范同内对材料的力学性能影响很小，随添加量从0增加至14份，材料的拉伸强度略有下降，

简介：结合预制件一次性模压成型和真空气压浸渗技术制备具有双层结构的高体积分数（60%~65%）、可激光焊接Sip-SiCp/Al混杂复合材料。该复合材料的组织结构均匀、致密，增强相颗粒均匀地分布在复合材料中，Sip/Al-SiCp/Al界面均匀、连续、结合紧密。性能测试表明，Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有密度低（2.96g/cm^3）、热导率高（194W/（m·K））、热膨胀系数小（7.0×10^-6K-1）、气密性好（1.0×10^-3（Pa·cm^3）/s）等优异特性。焊接试验表明，Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有良好的激光焊接特性，其焊缝平整、致密，微观组织均匀，没有生成明显的气孔和脆性相Al4C3。同时，Sip-SiCp/Al混杂复合材料激光封焊后优异的气密性（4.8×10^-2（Pa·cm^3）/s）能够满足现代电子封装行业对气密性的严格要求。

简介：由于气液固三态的参与，气辅成型的冷却过程较为复杂。本文参照气辅成型的数学模型对该冷却过程工艺参数进行理想化假设，并对该模型进行简化及求解,得到了塑料制品在冷却过程中的温度场分布和冷却时间。

简介：复合环形气瓶爆破压力58MPa,未满足60MPa设计指标。气瓶水压爆破试验前依次经强度试验、气密性检查和疲劳试验。气瓶外层缠绕芳纶纤维,内衬为TC4钛合金超塑成形后激光焊接。运用多种分析手段开展内衬裂纹及断口的宏微观形貌分析、特征微区化学成分测定、焊缝金相组织检查。结果发现:在内衬内焊缝收弧焊趾部位存在裂纹源,裂纹源由数个微氧化脆性准解理小平面组成,源区与瞬断过渡区有疲劳条带特征。分析表明,裂纹源形成于焊接过程,在疲劳试验中发生疲劳扩展,而后爆破试验因裂纹前端应力强度因子达到临界值而发生失稳爆裂,裂纹性质为氢脆裂纹,属焊接气体保护不充分引起的环境吸氢。