简介:片状银粉是独石电容器、滤波器、碳膜电位器、钽电容器、薄膜开关、半导体芯片等电子元器件的主要电极材料,其颗粒度及分布、单片厚薄以及银粉纯度对以银粉为导电相的电子浆料和电子元器件的电性能影响很大[1-3].随着信息产业的发展,片状银粉和电子浆料的生产已经成为一个特定的工业行业.片状银粉的制备方法很多,通常是将适当的银盐用化学方法还原成超细银粉后,再用机械球磨的方法将球形颗粒用强力打压成片状.由于还原过程和球磨过程的可变因素很多,不同工艺、不同生产者、甚至同一工艺同一生产者生产的不同批次的片状银粉,在技术指标上也往往难以一致.目前有关片状银粉的研究主要集中于片状银粉颗粒大小、表面形貌和电性能上[4,5],对生产片状银粉过程中如何控制银粉纯度、降低生产成本和稳定片状银粉质量等方面研究较少.本文在实践基础上,提出一种以粗银作为原料生产高纯度片状银粉的新工艺,所得产品纯度很高,工艺稳定性好,生产成本可以明显降低,适用于中小企业生产.
简介:采用选晶法在真空定向凝固炉中,制备了C含量分别为0.019%、0.048%、0.074%和0.094%的单晶高温合金,合金表面吹沙后分别在1250、1300℃进行真空热处理,研究不同C含量对单晶高温合金再结晶的影响。结果表明:随着合金中C含量升高,碳化物含量增多,其形态由块状转变为骨架状、发达骨架状;随着C含量增加,合金再结晶层深度无明显变化趋势,这表明碳化物对合金再结晶无明显的抑制作用,随着热处理温度升高,再结晶厚层深度明显增加;C对单晶高温合金再结晶抑制作用与形成碳化物的形态和密度有关,在合金表层形成高密度的碳化物,从而对再结晶晶界形成钉扎作用,阻碍晶界的迁移,能够起到抑制再结晶的作用。
简介:研究Sb元素含量对Sn-Bi系焊料性能的影响。通过差示扫描量热法研究Sn-Bi-Sb焊料的熔化行为。采用铺展实验研究焊料在Cu基板上的润湿性。测试Sn-Bi-Sb/Cu结合界面的力学性能。结果表明:三元合金中含有包共晶反应形成的共晶组织,随着Sb含量的增加,共晶组织增多;在加热速率为5℃/min的条件下,三元合金显示出更高的熔点和更宽的熔程;添加少量Sb对Sb-Bi系焊料的铺展率有影响;在焊料铺展过程中形成反应过渡层,反应过渡层中存在Sb元素而无Bi元素,过渡层厚度随着Sb元素含量的增加而增大。Sn-Bi-Sb焊料的剪切强度随着Sb元素含量的增加而升高。
简介:提供一种新颖简单的银微米线的湿化学制备方法。在反应温度为50℃的条件下,把硫酸亚铁溶液逐渐滴加到含有柠檬酸的硝酸银溶液中,合成银微晶体。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对所制备的银微晶体进行表征。结果表明:所制备的银微晶体主要由大量的银微米线组成;银微晶体的形态与反应温度有很强的联系;当硝酸银浓度降低时,银微米线的长度和直径都逐渐增大,且较低的硝酸银浓度不利于生成更多的银微米线。降低硫酸亚铁浓度时也出现类似的结果。柠檬酸的用量对银微晶体的微观形态有很大的影响。根据银微米线的形成机理,推断柠檬酸在Oswald熟化形成银微米线的过程中起着非常重要的作用。