简介:本文观察到BaF2:Gd,Eu通过下转换过程实现可见光发射的量子剪裁过程。Gd3+吸收一个VUV光子,通过交叉弛豫过程把能量传递给两个Eu3+,从而发射出两个可见光光子,实现量子剪裁过程。通过光谱结果的计算,其量子剪裁效率可达194%。
简介:本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展,其中,最细尺寸已达50纳米。
简介:利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射,对Si(001)衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50%应变驰豫的GeSi合金量子点,其Ge组分为0.55。此外在掠入射X射线衍射Si(220)峰的高角旁观察到另外一个峰,对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。
简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来的锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较,由于晶粒尺寸的效应,纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。
简介:密集散射体体系的小角散射往往存在干涉效应的影响[1]。所谓密集体系并不一定意味着有相当大的样品浓度,往往散射体的实在体积与样品体积的比值大于5%对散射曲线就有较大的影响。密集散射体之间的相互干涉效应理论上较难分析,因为这时的散射强度不仅取决于散射体按大小的分布,而且还取决于它们在空间的位置分布。在较大角域大散射体的散射强度接近于零,实质上不参与干涉:在很小角域各种散射体的散射强度均比较高而相互干涉。这时由实验曲线计算出的散射体的几何尺寸值将小于真实值。
简介:利用北京同步辐射小角X光散射实验站,我们对超临界流体的抗溶剂过程中,高分子的构象变化进行了初步的研究。实验表明,在不断加入抗溶剂的过程中,高分子链发生了从伸展的无规线团到球形的转变。
简介:以超临界CO2为溶胀剂所制备的PET/PS共混物的小角X-射线散射(SAXS)研究表明,PET/PS共混物的结构参数与共混物的组成及热历史密切相关。按Vonk的一维电子密度相关函数法,得到共混物的结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加,结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物的结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高的本质原因。
简介:
简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
BaF2:Gd,Eu的真空紫外量子剪裁
纳米尺寸同步辐射X射线光刻技术研究
Si(001)衬底自组织生长Ge量子点的组分和应变
晶粒尺寸对锐钛矿TiO2相变压力的影响
小角X射线散射中的干涉效应
用小角X光散射研究超临界流体抗溶剂过程中高分子链尺寸和构象变化
小角X—射线散射(SAXS)研究利用超临界流体为介质制备的聚合物共混体系的相区尺寸
InP表面软X光吸收效应与数值模拟
磁性[Co(t)/Cu]n周期多层膜的结构与巨磁电阻效应