简介：能源利用与社会发展;核能;太阳能;能量转化的基本规律;能源与可持续发展

简介：【本节需学习的内容】本节教材由“火的利用”、“化石能源的利用”、“电能的利用”和“核能的利用”四部分组成，并介绍“能源的分类”知识．

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简介：学习目标1．通过实例，了解能源与人类生存和社会发展的关系．2．通过实例了解能量及其存在的不同形式，认识能量可以从一个物体转移到另一个物体，不同形式的能量可以相互转化．3．了解一次能源和二次能源、不可再生能源与可再生能源的特点．

简介：1．通过实例，了解能源与人类生存和社会发展的关系．2．通过实例了解能量及其存在的不同形式，认识能量可以从一个物体转移到另一个物体，不同形式的能量可以相互转化．

简介：本工作主要包括KDP晶体单点金刚石车削加工和是非球面透镜数控抛光技术。

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简介：论述了离子束曝光技术的原理、特点,分析了其面临的关键技术问题,如掩模技术、离子源技术、图像对准技术等,并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及

简介：TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限

简介：用干涉方法测量原子发光的持续时间.用钠光进行的牛顿环与等厚干涉实验,主要方法是用显微镜观察分辨干涉区域的边界并测出边界的条纹数的坐标值,在多次取值后计算出平均的结果,该结果与用能量和时间的测不准关系计算得到的结果对比,数量级同为10-10s.在普通实验室进行这项实验,扩展普通物理实验教学的内函。

简介：TN305．72005032365硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用=Fabricationofsilicon-basedmicrostructuresandtheirapplicationinmi-crochipsE刊,中]／孙洋(清华大学深圳研究生院．广东,深圳(518057)),钱可元…∥半导体光电．-2004,25(6)．-477-479,483基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻

简介：生产中遇到许多易变形弹性薄片零件，如常见的垫圈、摩擦片、特别的碟性弹簧，薄板、飞片等，它们刚性差、散热困难、装夹时易引起装夹变形，加工时会出现翘曲，严重影响零件的加工精度。对这类零件的精密加工技术进行研究，对减少工件的热处理变形及装夹变形，减少变形工作对零件最终形成精度的影响，从而保证弹性薄片类零件的加工精度具有至关重要的意义。提高零件精加工前的精度以及减少零件装夹变形和减小切削力是提高零件加工精度的重要措施。对于力学性能要求较高的工件，一般都需要进行热处理，以提高工件的综合力学性能。

简介：介绍了辐射模拟加速器辐射场中脉冲X射线能谱的几种常用测量方法，阐述了基本原理、测量装置的典型系统组成、主要参数特性、技术发展状况和研究进展，描述了各种方法的优缺点和适用范围。以吸收法为例，综述了解谱技术的发展状况，并描述了多种解谱方法的特点。最后，重点介绍了西北核技术研究所脉冲X射线能谱测量的进展，并对测量系统抗噪和散射控制技术进行了评述。结合现有条件和技术成熟度，对今后工作的发展方向进行了展望。

简介：随着社会经济的快速发展及人民生活水平的不断提高，能源的消费增长速度超过了能源生产增长速度，人们越加感到能源短缺的危机．因此有关能源的考题，在各地市的中考试题中不断出现，已成为考试命题的一个热点，现举具有代表性的两例分析如下．

简介：分析了核热推进NTP（nuclearthermalpropulsion）反应堆关键技术及现状，介绍了核热推进反应堆技术在空间推进领域的应用，总结对比了美国、俄罗斯现有核热推进反应堆设计方案的主要参数和特性，并对未来航天器用核热推进反应堆的发展方向和应用前景进行了探讨。

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简介：半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。