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9 个结果
  • 简介:全自动焦度仪光学系统是产品设计的核心,为了提高自动焦度计的测量精度。提出一种新的测量图像。该图像在建立了16点数学模型并推导了镜片相关参数的计算方法。该算法将16个点分为四组进行计算,并取各组计算结果的平均值作为最终测量结果。根据16点数学模型的算法要求。设计了以FPGA和面阵CCD为核心的测量系统及16点图像二值化处理的算法。实验数据表明。该系统在测量精度及稳定性上都优于原有的基于4点测量图像的自动焦度计:该测量系统的技术指标已达到国家相关检验标准。

  • 标签: 自动焦度计 16点数学模型 FPGA 面阵CCD
  • 简介:本文分三个专题,介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章,供专业人士参考。

  • 标签: 绝缘栅双极晶闸管 半导体功率器件
  • 简介:由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点,IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前,需要精确的器件模型模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例,给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上,文中还提出了模型参数有效性验证的方法,最后给出了有效性验证结果。

  • 标签: IGBT模型 参数辨识 有效性验证
  • 简介:半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

  • 标签: 场环场板 多级场板 击穿电压 碰撞电离 驱动场
  • 简介:1月10日,以“绿色发展、建设美好新海南”为主题的2019(首届)海口国际新能源汽车展正式开幕。展会总展览面积5万平方米,其中室内展览面积约4万平方米,本届海口新能源汽车展共展示车辆197辆。据悉,2019(首届)海口国际新能源汽车展览会作为每年在我国举办的第一个专业汽车展,全面展示了新能源汽车技术领域的优秀成果。其中自主品牌有北汽、上汽(上汽荣威、上汽名爵、上汽大通、宝骏新能源)、广汽、吉利、比亚迪、欧拉等品牌均有参展。

  • 标签: 汽车展览会 新能源 海口 车辆 自主品牌 绿色发展
  • 简介:分析了用AT45DB161B存储数据的特点和容量,给出了采用ATMEL的串行DataflashAT45DB161B来存储行驶数据的行驶记录仪的设计方法.同时给出了W77E58和AT45DB161B的接口电路和程序代码。试验表明,采用AT45DB161B来存储数据的行驶记录仪具有体积小、容量大、功耗低、硬件接口简单、抗干扰能力强,容量扩展简单的优点。

  • 标签: 行驶记录仪 串行DataFlash W77E58 AT45DB161B 存储器
  • 简介:本文叙述一项名为"用于有源设备中的电子元器件(EfA)"的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃(最恶劣情况能达到125℃)。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的高温。挑战性的主要指标是功率循环能力。随着封装工艺的改进,这个目标是能够实现的。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取的改进措施的效果。已发现,当采用新的内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。

  • 标签: 内燃机 系统功率循环 功率器件
  • 简介:结合INFORM/EMF转子位置估计值,采用外转子永磁同步电机(PMSM),在轻型车辆上实现了一种新型低成本的无传感器的磁场定向传动驱动系统。这样,通过满载启动转矩功能,类似于霍尔单元的他置怍感器就可以省掉。此外,为了降低硬件成本,通过低成本的直流母线旁路电流测量代替昂贵的相电流传感器,完成了基于直流母线的电流测量。在启动的时候,实施了一种经过修整的1NFORM过程,目的是在保证不出现明显的输出转矩和转子振荡的前提下,以确保转子位置在几毫秒内正确的初始化。通过批量生产的永磁电机使用,对转子几何形状在INFORM范围(低速情况下)内根据过载能力作了优化,优化算法采用数值场计算方法,以秒为迭代步长(MAXWEI.L2D).并给出了在一个轻型车辆上的实现及测试结果。

  • 标签: 无传感器控制 永磁同步电机 外转子 车辆 轻型 应用
  • 简介:文中针对当前通过在A1GaN层进行F-离子注入这种实现EAlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法,建立其数值模型。对该方法F-起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释,对该方法的实现过程中的关键F-离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析,得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

  • 标签: F-注入 增强型HEMT 数值模拟