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  • 简介:据悉,著名交流驱动厂商Vacon集团目前任命ThomasM.Doting为北美区执行副总裁,主管北美地区的市场、营销及服务。Doring将于08年10月1日正式上任,此前,他曾为美国一家电源管理公司——Eaton工作了近20年。

  • 标签: VACON 北美地区 总裁 交流驱动 电源管理
  • 简介:作为一个管理者总是希望,自己向下属下达的每样工作任务要求,下属能不折不扣地按你的要求圆满完成任务,然而事实却往往令人痛心,不是把你下达的任务拖泥带水,就是敷衍了事。根本未能达成所要达成的期望值。更有甚者,当你去切实了解任务实施情况时,原来任务根本还未实施,他的部属甚至还未接收过相关的任务要求……。此时不禁想象,即使上级有更好的创造力,想象力及思维能力,把最好的战略向下一级布置传达。

  • 标签: 企业 思维能力 管理者 期望值 创造力 想象力
  • 简介:本文分三个专题,介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章,供专业人士参考。

  • 标签: 绝缘栅双极晶闸管 半导体功率器件
  • 简介:ROHS和WEEE指令不会小时,事实上,ROHS的势头更猛,而对WEEE的解释及其对向欧洲供应产品的装配商所意味的涵义正让许多人头痛。

  • 标签: ROHS WEEE指令 无铅
  • 简介:由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点,IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前,需要精确的器件模型模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例,给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上,文中还提出了模型参数有效性验证的方法,最后给出了有效性验证结果。

  • 标签: IGBT模型 参数辨识 有效性验证
  • 简介:半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

  • 标签: 场环场板 多级场板 击穿电压 碰撞电离 驱动场
  • 简介:文中针对当前通过在A1GaN层进行F-离子注入这种实现EAlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法,建立其数值模型。对该方法F-起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释,对该方法的实现过程中的关键F-离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析,得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

  • 标签: F-注入 增强型HEMT 数值模拟
  • 简介:全自动焦度仪光学系统是产品设计的核心,为了提高自动焦度计的测量精度。提出一种新的测量图像。该图像在建立了16点数学模型并推导了镜片相关参数的计算方法。该算法将16个点分为四组进行计算,并取各组计算结果的平均值作为最终测量结果。根据16点数学模型的算法要求。设计了以FPGA和面阵CCD为核心的测量系统及16点图像二值化处理的算法。实验数据表明。该系统在测量精度及稳定性上都优于原有的基于4点测量图像的自动焦度计:该测量系统的技术指标已达到国家相关检验标准。

  • 标签: 自动焦度计 16点数学模型 FPGA 面阵CCD