简介：英商ARM公司与TSMC于10月18日共同宣布,已顺利完成首件采用20nm工艺技术生产的ARMCortex-A15处理器设计定案（TapeOut）。藉由TSMC在开放创新平台上建构完成的20nm设计生态环境,双方花费六个月的时间即完成从缓存器转换阶层（RTL）到产品设计定案的整个设计过程。

简介：ARM公司近日在IEEESOI会议上发布了一款绝缘体上硅(SOI)45纳米测试芯片的测试结果。测试结果表明,相较于采用传统的体效应工艺(bulk

简介：无线射频识别（RadioFrequencyIdentification,RFID）技术作为新一代识别技术的代表,近年来发展迅猛。随着RFID技术的深入发展和应用,RFID系统的中枢和核心组成部件的中间件成为了研究的热点。RFID中间件是连接底层设备和上层应用的桥梁,可以实现RFID读写器与企业应用的连接。嵌入式RFID中间件构架于嵌入式系统的弱计算环境中,它有别于运行在一般计算机上的软件中间件,而是在嵌入式系统上实现RFID中间件功能,使中间件可以用于各种系统集成。

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：从火控雷达抗反辐射导弹的迫切需求出发,基于雷达组网理论,提出了组网火控雷达间歇辐射抗反辐射导弹方法;对非相干两点源干扰单脉冲雷达测角理论进行拓展分析,提出了两点源或多点源间歇辐射对反辐射导弹的闪烁诱偏方法;建立了反辐射导弹攻击效果评估模型,在设定的仿真背景下,对不同来袭方向的反辐射导弹的闪烁诱偏过程进行了仿真。结果表明,对于不同来袭方向的反辐射导弹,通过调整雷达的组网形式可以获得最佳的对抗效果。