简介：

简介：<正>在关于硅材料先进科学和工艺的第三届国际会议上,日本超级硅研究所(SSI—SupersiliconcrystalResearchInstitute)发布了迄今最先进的直径400mm(16英寸)硅单晶片制造工艺。SSI是日本于1996年组建的、有日本政府财政支持的旨在进行400mm硅单晶生长和晶片加工研究开发的集团。组建时,SSI的官员曾预料,2008年开始使用400mm硅片,但在这次会议上,他们认为要到2014年才会开始使用。SSI的权威人士称,他们已开发出

简介：<正>由北京有色金属研究总院承担的"直径200mm硅单晶抛光片高技术产业化示范工程"项目2003年12月19日通过国家验收。该项目是北京有色金属研究总院利用自主知识产权技术,集几十年来在硅材料领域的研究成果和产业化经验,在8英寸硅单晶抛光片技术开发和5英寸、6英寸硅单晶抛光片产业化技术基础上,进一步提高产业化水平,形成了年产8英寸硅单晶抛光片6000万平方英寸的生产能力的生产线。也是我国目前建设成功的第一条可满足0.25μm线宽集成电路需求的8英寸硅单晶抛光片生产线。

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简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：采用物理气相传输（PVT）工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘（HPSI）6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱（SIMS）测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping（CORE-MA）和电子顺磁共振（EPR）测试进一步证实其高纯半绝缘特性。

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简介：介绍了电磁激励Si微反射镜偏转的光开关的结构,工作原理和制作技术.光开关单元由单晶Si反射镜板、A1弹簧、A1格子、磁性材料、夹持电极、锁挡、矩形杠杆和外磁场组成.通过控制光开关单元的箝位电压、夹持电压和外磁场,可实现独立寻址的光开关阵列.器件制作使用了表面和体微机械工艺(如电镀、体湿法腐蚀和XeF2的深反应离子腐蚀等)工艺.这种器件可实现任一反射镜偏转角的光开关,最大偏转角可达90°.这种光开关是目前极力推崇的全光网络光开关.

简介：高压水射流作为一种新型、高效、清洁的能量,与机械刀具联合作用清洗油管具有优势。根据不同使用条件和适用对象,对水射流参数进行调整,对钻头切削齿和喷嘴布置进行合理的设计。首创了一种高压水射流处理水泥堵塞油管新技术,设计制造了清洗堵塞油管专用设备和工具,现场实验取得了

简介：<正>我国首条可满足0.25μm线宽IC需求的200mm(8英寸)硅单晶抛光片生产线——硅单晶抛光片高技术产业化示范工程日前通过整体验收。业内人士认为,200mm硅单晶抛光片示范工程项目,可在一定程度上满足

简介：<正>浙江大学硅材料国家重点实验室传来消息,该实验室不久前成功"拉"出了一条具有我国自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶。硅单晶是计算机、通信和网络等信息微电子产业的基础材料,随着信息微电子产业的

简介：全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司，日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对2008年5月FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题，其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层），这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。

简介：半导体封装尺寸的缩小、功率的增大以及开关速度的提高，这些推动着电子器件冷却方法的发展。在现在的先进电子系统中，现有的导热界面材料成为散热的瓶颈。工程师们希望用按照热管理要求设计的最优金属，他们需要知道有些什么方案可以选用，才能把最好的导热界面材料（TIM）用到他们设计的应用系统中，加强散发热量通路中的薄弱环节。

简介：随着天基网络设施和技术的逐渐发展成熟,如何利用天基网络开展应用服务成为未来发展的重点。天基物联网是天基网络的典型应用,研究天基物联网的发展对于指导天基网络建设及其应用开发具有重要意义。本文在分析了当前天基物联网发展现状和特点基础上,依据其用户特性和业务特性,提出了基于天基信息网络的物联网体系架构,组成及功能,并对其应用模式进行了探索,为天基物联网的未来发展提供了思路。

简介：Dy3＋/Eu3＋共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾（KF）作为助熔剂生长。射线衍射（X射线衍射），吸收光谱，激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3＋和Eu3＋离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3＋，Dy3＋具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321，y=0.332。这表明Dy3＋/Eu3＋共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外（UV）光激发的白光发光二极管（LED）。

简介：在平行缝焊、储能焊、玻璃熔封、激光焊、合金焊料熔封等密封工艺中,合金焊料密封是高可靠密封的优选工艺。文章针对合金焊料密封工艺中常遇到的密封强度、密封内部气氛、焊缝及盖板耐腐蚀、薄形封装易短路等问题,介绍了通过合金焊料盖板的选择,从而控制密封强度、密封内部气氛、耐蚀性能和电性能等的质量。

简介：1.前言铜及铜合金具有较高的强度、优异的机械加工性、导电性、导热性、焊接性及耐腐蚀性等特性,在电力、电子、石油化工及军工等工业领域得到极为广泛的应用和发展.在电化学序列中,铜具有比氢更高的正电极电位,因此在一般的腐蚀性介质(空气、水及非氧化性酸等)中,铜具有较高的热力学稳定性,故被列为耐腐蚀性金属.铜合金则比纯铜具有更高的耐腐蚀性能.

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。