简介：数字印刷世界举行展会网罗前沿设备，中国印刷标准化年会厦门起航，方正VIP沙龙报业峰会于湖南举办,传媒巨子云集羊城全球华文传媒峰会,第八届国际印刷信息交流大会将在北京召开,……

简介：柯达用户于“数码印刷在中国”喜获丰收,第四届沈阳国际印刷包装技术设备展览会,Print05国际印刷展览会即将举行,第六届马来西亚国际印刷，纸张与包装机械展闭幕,中国国际全印展,“数码大赛”爱普生再显数码打样王者风范

简介：IPEX将于11月举办国际新闻周，因应产业发展推动印艺进步创新赢利模式——2005按需印艺及网络化生产国际展览暨论坛，上海第三届亚洲RFID应用大会月末召开，安徽举办国际印刷媒体行业教育培训机构大会……

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简介：2004提12月7日-9日，由陕西省文联及陕西省大画幅协会主办．爱普生(中国)有限公司承办的陕西省大画幅协会2004作品展爱普生大幅面打印输出展在陕西省图书馆隆重举行。本次展会是近期在全国范围内，具有相当影响力的一次使用大幅面打印机输出的大画幅作品展。陕西省省长及政协主席作为嘉宾出席了本次展会。参加此次展会的还有陕西省的著名媒体和摄影家．书法家等以及众多摄影爱好者及数码制作发烧友。

简介：太阳化学（SunChemical）于近日宣布将在FESPA2007展会上推出一新型油墨和新产品。

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简介：西门子电子装配系统有限公司作为创新领导厂商，再次热烈欢迎制造商莅临公司在2010年上海NEPCON展会中的SIPLACE展台，一览公司的最新发展动态。展会期间，SIPLACE展示其SIPLACED系列和X系列的创新贴装解决方案以及采用可互换悬臂和SIPLACEMultiStarCPP贴装头的全新SIPLACESX产品。

简介：第一展：由SEMI和中国电子商会主办的SEIMCIONChina2007共吸引了979家供应展，展出面积40．250平方米，展位数2．050个，观众人数超过31．000名，展品涵盖晶圆加工及厂房设备，晶圆加工材料，子系统、零部件和间接耗材，测试封装材料和测试封装设备等；

简介：在即将召开的PackageDesign07Conference上．柯达公司将为包装设计师和品牌所有者展示出一系列工作流程、热敏计算机直接制版和数字打样解决方案．以保证一致准确的品牌颜色。

简介：洞悉SMT技术发展趋势，把握行业发展动向，领略电子制造世界无限精彩，中国地区最大的电子制造与表面贴装行业盛会之一——第二十一届中国国际生产设备暨微电子工业展（NEPCONChina2011）于5月11日-13日在上海光大会展中心成功举行。

简介：2010年4月20日到22日上海即将举行的NEPCONChina2010展会上，JUKI公司将在第1D10号展台上，以3E理念为主题展示多种领先产品。自1993年以来，JUKI一直竭尽全力，以3E（经济、简便、扩展）为理念，致力提供更完善的产品和服务，这意味着提供操作简便、更经济、帮助扩大产业规模的产品。随着不断的发展壮大，JUKI一直秉承和加强3E理念，为客户提供最大价值。

简介：随着数字化版材的国产化以及CTP技术在中国市场的成熟．越来越多的印刷企业开始应用CTP技术，还有更多的印刷企业正在面临CTP系统的选择。如何在提升品质的同时．兼顾成本、效率？北京北大方正电子有限公司（以下简称“方正电子”）于4月10日、11日两天在ChinaPrint2007中国（广东）国际印刷技术展览会期间举办了主题为“尽善尽美精益求精”方正畅易紫激光CTP用户开放日活动，

简介：安捷伦科技公司将在最近的NEPCON上海2010展会上展示最新的Medalisti3070系列5在线测试仪。这一新测试平台提供的许多重要特性包括：

简介：来自世界各地的电子生产商们于2009年11月10-13日在德国慕尼黑聚首，共享productronica带来的良好机遇。尽管经济低迷，productroniea仍吸引了1150家展商和公司代表参展（2007年：1，477家）。相比行业其他公司，productronica所受损失要小得多。本届productronica总展览面积达75，000平方米，

简介：<正>国际半导体设备暨材料协会(SEMI)释出电子业淡季讯息,近日公布8月北美半导体设备订单出货比(Book-to-BillRatio,B/B值)终止连7个月逾1的走势,滑落至O.98,为今年来首度跌破1,宣告半导体产业即将走人年底淡季。分析师指出,SEMI的B/B值是针对设备厂商的统计,通常反映台积电、日月光等制造厂商未来三到六个月的产能计划,也反映了未来三到六个月的景气。北美半导体B/B值是指半导体设备厂当月接到设备的订单,以及当月出货

简介：本文介绍了微波半导体技术主要特点、功率器件和单片集成电路的特性及其应用.

简介：5月23日,有日媒报道,日本政府将于2020年允许无人驾驶的乘用车在部分地区上路.自2017年起,在人口过疏地区和郊外的公路上启动行驶试验.到2020年东京奥运会和残奥会期间,在部分地区将允许民营企业提供无人出租车等服务.日本《道路交通法》和《道路运输车辆法》等法规也将进行修订.

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

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