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11 个结果
  • 简介:认知电子战是未来电子战的一个重要发展方向。基于"OODA"理论,分析了认知无线电、认知雷达和以及典型认知电子战项目的认知原理,并对比赛博战的概念、特征和赛博作战认知过程,分析了认知电子战与赛博战之间的使能关系,探索认知电子战与赛博战的认知内涵。

  • 标签: 认知电子战 认知无线电 认知雷达 赛博战 OODA环
  • 简介:<正>AnalogDevices,Inc.近日发布三款全新的锁相(PLL)器件ADF5355/ADF4355-2/ADF4155,其中一款具有业界最宽的频率覆盖范围和最低的压控振荡器(VCO)相位噪声,且在单个器件中实现这些性能。ADF5355PLL具有同类最宽的55MHz至14GHz频谱范围;而ADF4355-2PLL的频谱范围为55MHz至4.4GHz。这些器件可供需要单片高性能宽带频率合成器的RF和微波通信系统

  • 标签: 锁相 ADI 频谱范围 频率覆盖范围 频率合成器 微波通信系统
  • 简介:设计一种低抖动电荷泵锁相频率合成器,输出频率为400MHz~1GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相相位抖动。电路采用0.13μm1.2VCMOS工艺,芯片面积为0.6mm×0.5mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1GHz时,锁相频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6mW,最大周对周抖动为11ps。

  • 标签: 低抖动 电荷泵 锁相环
  • 简介:提出了一种基于SMIC公司0.18μm工艺、输出频率范围为1GHz~3GHz的低抖动电荷泵锁相频率合成器设计方法.该设计方法采用一种新型自动调节复位脉冲的鉴频鉴相器结构,可以根据压控振荡器反馈频率自动调节不同的脉冲宽度,用以适应不同的输出时钟.仿真结果显示该器件能够有效降低锁相频率合成器的抖动,其最大峰-峰值抖动为20.337ps,锁定时间为0.8μs,功耗为19.8mW.

  • 标签: 锁相环频率合成器 鉴频鉴相器 频率-电压转换器 低抖动
  • 简介:工作在中、长波红外波段(波长5-12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷、快速响应的光子红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延(ME)法在InAs(砷化铟)衬底生长的InAs0.05Sb0.95(铟砷锑)厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷、中长波光导探测器,探测器安装了Ge(锗)浸没透镜。傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2-9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp*达到5.4×10^9cm·Hz1/2·W^-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D*分别为9.3×10^8和1.3×10^8cm·Hz1/2·W^-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。

  • 标签: 非制冷红外光子探测器 INASSB 峰值探测率 光谱响应
  • 简介:<正>AnalogDevices,Inc.全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出业界精度最高的隔离式Σ-Δ调制器AD7403,适合直流/交流功率转换应用中的精密电流和电压测量。隔离式Σ-Δ调制器AD7403可在78KSPS速率以及-40°C至+125°C温度范围内实现81-dB的信噪比和信纳比(SINAD)(最小值),比竞争器件高出11dB。较高的信纳比可实现更加精确的电流和电压测量,通过降低电机轴的转矩波动,提高电机驱动的性能。此外,较高的信纳比

  • 标签: 电压测量 AD7403 ADI 隔离式 纳比 转矩波动
  • 简介:<正>推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)进一步增强用于电机控制应用的产品阵容,推出两款新的方案,用于工业、白家电及消费等各种应用。新的LV8714TA是一款极高能效的双步进电机驱动器,工作电压范围为4V至16.5V。这器件的片四路半桥通道采用恒流控制,能够独立驱动2个步进电机或4个直流电机。这器件用于单桥臂(leg)同步整流型开关的功率场效

  • 标签: 安森美半导体 IPM 步进电机驱动器 工作电压范围 产品阵容 独立驱动
  • 简介:提出了一种积累槽栅超势垒二极管,该二极管采用N积累MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N积累MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

  • 标签: 超势垒二极管 槽栅 开启电压 泄漏电流
  • 简介:<正>Diodes推出低压1MH-z升压直流-直流转换器PAM2401,旨在满足备用电池、无线电话及全球定位系统接收器等便携式产品对效率愈见严格的要求。这款同步转换器可维持高达95%的工作效率,提供真正的输出断接功能以防漏电,并确保产品在低至1V的输入电压下安全启动。PAM2401为0.9V到4.75V较低的工作电压输入范围提供1.0A到3.0

  • 标签: 升压型 DIODES MHZ PAM2401 备用电池 便携式产品
  • 简介:<正>凌力尔特推出同步降压-升压DC/DC控制器LT3790,采用单个器件就可提供高达250W功率。LT3790的4.7V至60V输入电压范围使其非常适合多种汽车和工业应用。其输出电压可设定在0V至60V,从而非常适合用作电压稳压器或电池/超级电容器充电器。LT3790的内部4开关降压-升压控制器采用高于、低于或等于输出电压的输入电压工作,使其成为汽车等应用

  • 标签: 升压型 DC/DC LT3790 凌力尔特 同步降压 输出电压
  • 简介:针对法布里—珀罗干涉压力传感器进行光学解调技术研究,采用以双折射光楔为核心的白光偏振干涉系统对传感干涉系统进行解调,利用不同尺寸光楔设计对比实验并进行加压检测,确定传感系统与解调系统匹配的具体设计方法.

  • 标签: 法布里—珀罗 光学解调 双折射光楔 白光