简介：摘要半导体技术是现代重要的一项技术，在包括手机、电脑等重要的设备制作中，都离不开半导体技术来发挥作用。针对半导体技术的应用，需要做好工艺测试，才能够确保技术的效果发挥。本文将结合现阶段半导体工艺测试设备的实际应用情况，展开系统性分析。

简介：在制品库存控制是生产制造系统的一项重要活动,它直接关系到工厂的产出、生产周期和物料投放.当前很多半导体封装测试厂还没有形成一个系统化的库存管理模式,导致库存过高或不均,直接影响产出和生产成本.文章将阐述半导体封装测试厂如何选用并有效实施CONWIP系统,以及它在生产控制、降低库存和缩短生产周期上发挥的积极作用.

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法.

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：随着社会的进步和科学技术的迅猛发展,对洗净技术的要求也越来越高.清洗方式多种多样,但最主要的是突出在喷射清洗和超声波清洗两大方面,应用于全国各行各业,并且也得到了明显进步.

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简介：<正>为了降低生产成本,国际半导体制造商以及封装测试代工企业纷纷将其封装产能转移至中国,从而直接拉动了中国半导体封装产业规模的迅速扩大。同时,中国芯片制造规模的不断扩大以及巨大且快速成长的终端电子应用市场也极大地推动了中国半导体封装产业的成长。两方面的影响,使得中国半导体封装业尽管受到金融危机的影响,但在全球半导体封装市场中的重要性却日益突出。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

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简介：<正>到2006年或2007年,索尼的数字家电产品中使用的半导体的内制比率将从2003年的约20%提高到40%以上。这是索尼顾问牧本次生2004年9月3日在东京举行的"2004东京国际数码会议"发表的演讲中透露的。

简介：<正>根据美国半导体产业协会最新公布的年报,全球半导体销售2002年将增长1.8%,达1410亿美元,2003年的增长率将为19.8%,达到1690亿美元;2004年将增长22%,达2060亿美元;2005年可望维持在2004年的水平,2060亿美元。2002年闪存全球销售将增长0.7%,达77亿美元;2003年可望增长39%。微处理器

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简介：<正>在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMGCMOS制程。此成本问题

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：<正>我国半导体封装业相比IC设计和制造最接近国际先进水平,先进封装技术的广泛应用将改变半导体产业竞争格局,我国半导体封装业在"天时、地利、人和"有利环境下有望在国际竞争中实现"弯道超车"。半导体封装地位提升随着摩尔定律的不断微缩化以及12英寸替代8英寸晶圆成为制程主流,单位芯片制造成本呈现同比快速下降走势。而对于芯片封装环节,随着芯片复杂度的提高、封装原材料尤其是金丝价格的上扬以及封装方式由低阶向高阶的逐

简介：随着软件产品在社会生活中的广泛应用,软件产品的可靠性和用户的需求也在逐步提高。软件测试一般分为白盒测试和黑盒测试两种,而路径测试方法是白盒测试中最常用的方法。主要介绍了DD路-径和基本路径两种路径测试方法,并针对它们的测试用例的不同设计方法,分析了软件测试中的结构化测试方法在测试用例生成中的作用。

简介：首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题；针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题，通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大，通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小，多晶淀积晶粒越大，根据多晶导电理论可知多晶晶粒大，晶粒间界变小，晶粒间界杂质俘获变少，多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高，因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数，为保证多晶淀积速率稳定，多晶炉管维护次数尽量少于6次，同时需要对多晶淀积温度进行控制。