简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

简介：<正>东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理JesusPenalver表示,功率电力电子的未来在于碳化硅功率开关转换技术,该技术具有高于传统技术33%的结温,更高的转换开关速度,和极低的转换损耗。G2020系列产品相较前一代产品G9000footprint尺寸缩小17%,比市场同类竞争产品的尺寸最高缩小57%。

简介：

简介：<正>经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园,目前已签订租赁协议。该项目致力于开拓第三代半导体碳化硅的全球市场,建设碳化硅半导体

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：市场研究单位YoleDeveloppement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM,Bombardier,Cree,SDK,STMicroelectronics,In-fineonTechnologies,Littelfuse,Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR将进一步提升至40％。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

简介：随着天基网络设施和技术的逐渐发展成熟,如何利用天基网络开展应用服务成为未来发展的重点。天基物联网是天基网络的典型应用,研究天基物联网的发展对于指导天基网络建设及其应用开发具有重要意义。本文在分析了当前天基物联网发展现状和特点基础上,依据其用户特性和业务特性,提出了基于天基信息网络的物联网体系架构,组成及功能,并对其应用模式进行了探索,为天基物联网的未来发展提供了思路。

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

简介：南京恩瑞特实业有限公司是中国电子科技集团第十四研究所投资创建的高科技综合性电子技术研发企业。公司目前主要从事民用雷达（如气象雷达、航管雷达、港管雷达等）、城市轨道交通信号系统、卫星通信、移动通信、汽车电子、电子系统集成等领域产品的研发、生产和销售服务等方面的业务。

简介：在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。

简介：分析了国内外天基资源信息服务现状及其存在的问题,结合云计算和大数据等技术,构建了基于云服务架构的天基资源信息服务体系,论述了天基资源信息服务体系的服务架构、系统架构、技术架构、运行视图和安全防护架构等,并给出了体系构建过程中的关键技术及其解决途径.

简介：全球领先的半导体解决方案开发和制造商爱特梅尔公司（AtmelCorporation）宣布全面增加对中国半导体市场的关注和投资，推出各种能满足中国消费者需求的产品和技术。

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简介：意大利欧米特公司新近推出无轴无齿轮传动柔印机Varyflex最新升级版本F1型号，并于4月初在意大利总部工厂Lecco．向来自全球的包装印刷界同仁正式发布并进行了设备演示。

简介：　　1前言　　对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜.　　……