简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。
简介:摘要高等院校作为市场化浪潮中智力及高端产品的输出方,但由于一些客观原因,比如产品转化效率低,产品研发周期长等,导致高校智力资源没有得到很好的利用,除了很小一部分比较成熟、经过较长时间检验的有显示度的先进技术外,大部分的先进技术依然只活跃于实验室中,离大规模推广应用,进入市场,产生一定的经济效益还有很大的距离。为有效解决高等院校的智力资源与社会产业资源对接通道问题,降低相关各方的人力、财力和时间成本,课题组经过深入研究,提出依托“互联网+”思维,以“有效应用高等院校成熟技术,快速方便解决中小型企业实际问题”为宗旨,构建了高等院校微技术交易转化平台的建设方案。