简介：<正>与现行的陶瓷和层压模块等封装解决方案相比,专为高集成度RF模块而设计的CSP(chip—scalepackaging,芯片规模封装)封装工艺—Pyxis平台有望使封装的成本、高度和面积分别下降50%、60%和75%。由封装工艺开发商美国的Tessera公司推出的此项技术能够将RF模块与功率放大器、收发器、滤波器以及开关等周边电路结合起来。与传统的9mm×10mm大小的层压式封装相比,Pyxis技术将无源器件以及所需衬

简介：<正>日前,批量成像设备供应商得可公司(DEK)大中华区电子组装部总经理黄俊荣表示,随着海外制造工厂向大陆转移,中国大陆电子制造业机会无限,得可对中国市场亦重视有加。不过,中国仍以中小型制造企业居多,SMT大型企业较少,整体制造品质不高。

简介：泰科电子宣布其防静电(ESD)保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD(SESD)器件比上一代0402型的器件大约缩小了70%,能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠

简介：<正>2008年1月15日,赛灵思公司宣布推出其最新的90nm低成本SpartanTM-3AFPGA器件。针对数字显示、机顶盒以及无线路由器等应用而优化的这些小封装器件满足了业界对更小器件封装尺寸的需求,为成本极为敏感的消费电子

简介：<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃～+150℃。

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简介：<正>世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。其表现为逻辑电路上现用的CMOS平面体管,将转变为具有3维沟道导向的立体晶体管。这一转变势必严重

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