第一和第二人造金刚石区域是掺硼的。第二人造金刚石区域比第一人造金刚石区域掺有更多的硼，并且与第一人造金刚石区域物理接触。在另一示例性实施方案中，该第一和第二人造金刚石区域形成金刚石半导体，例如当连接到至少一个金属引线时的肖特基二极管。在其它实施方案中该金刚石是CI2高增浓的金刚石，以增加该人造金刚石的导电性。在示例性实施方案中的制造工艺包括沿着氢注入层分离该多个金刚石层中的一层。
工业金刚石
2010年3期
