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《半导体光子学与技术:英文版》
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2008年2期
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Residual Strain and Electronic Characteristics of Si-doped GaN
Residual Strain and Electronic Characteristics of Si-doped GaN
(整期优先)网络出版时间:2008-02-12
作者:
LI Chao;ZHOU Xun;ZOU Ze-ya;DU Jiang-feng;JI Hong;YANG Mo-hua;ZHAO Hong;ZHAO Jin-xia;ZHU Yah-ling;YU Zhi-wei;YU Qi
电子电信
>物理电子学
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资料简介
剩余紧张和损坏由Si培植导致了在轧了样品被学习了,以及电子特征。这些成长得当的样品与Si的不同剂量被植入(1
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剩余紧张和损坏由Si培植导致了在轧了样品被学习了,以及电子特征。这些成长得当的样品与Si的不同剂量被植入(1
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