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《北京同步辐射装置年报》
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同步辐射X射线驻波实验技术研究半导体超薄异质外延层
同步辐射X射线驻波实验技术研究半导体超薄异质外延层
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摘要
利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。
DOI
54k6lvgyjk/1407157
作者
姜晓明;施斌;等
机构地区
不详
出处
《北京同步辐射装置年报》
2000年1期
关键词
同步辐射
X射线驻波实验技术
半导体超薄异质外延层
硅晶体
外延生长
超薄锗厚子层
分类
[核科学技术][核技术及应用]
出版日期
2000年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
北京同步辐射装置年报
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