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厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究

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摘要文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

DOI 3j7ormrg41/1134405

作者林丽;聂圆燕;吴晓鸫

机构地区不详

出处《电子与封装》 2012年5期

关键词厚多晶硅薄膜饱和掺杂低阻多晶硅电阻

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2012年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）