简介：所叙述的二氧化碳激光器内部的基本结构.包括功率控制器、射频电路等.通过对功率控制部分的研制使激光器的生产逐步实现国产化.用单片机控制电路的PWM的开关、放大、检测,将放大后的PWM送至射频激励,控制射频电路中的射频信号,从而控制激光器输出光功率的大小.

简介：在只计相邻发光单元问互耦合及单元自耦合的近似下,根据外腔锁相半导体激光器列阵(LDA)满足的耦合矩阵方程,求得了外腔锁相LDA的超模和阈值条件,并对外腔锁相LDA作了一般性的分析.解析证明了阈值最低的模要么是基超模要么是高阶超模,推导并说明了存在一些分立的外腔长度范围可以使其运行于基超模或最高阶超模.

简介：2006年9月18日，来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校（UCSB）的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅激光器（HybridSiliconLaser）。这项技术的突破标志着用于未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的最后障碍之一已经被解决。

简介：分布式的光纤传感技术是近年来光纤传感领域的热点，它主要包括了频域发射技术，振光时域反射技术，长距离干预分布式光纤传感技术等，由于这种技术的可靠性和实用性很强，因此目前它在光纤激光中得到了广泛运用。本文主要针对光纤激光中分布式光纤传感技术的实际运用进行科学分析。

简介：随着半导体激光器的发展与成熟以及固体激光器应用的不断广泛，LD泵浦Nd：YV04固体激光器实验成为光电相近专业必选实验。本文针对LD泵浦Nd：YV04固体激光器实验过程中．光路调整和绿光输出难度大等关键问题，提出简单易行、可操作性强的步骤方法，并取得了较好的实验效果。

简介：在LD端面抽运的Nd：YVO4激光器中插入Cr^4＋：YAG晶体，获得了稳定的1．06μm波长的高重复率被动调Q脉冲激光输出。实验研究了抽运功率、腔长、输出镜透过率对输出功率的影响，以及不同抽运功率下脉冲重复频率和脉冲宽度的变化，并对结果进行了理论分析。当腔长为8cm，抽运功率为27W时，得到重复率37．8kHz、平均功率3．5W的调Q脉冲序列；单个脉冲能量为93μJ、脉宽为24ns、峰值功率为3．9kW。

简介：本文主要利用三能级系统的速率方程对掺铒聚合物光纤激光放大器的放大特性进行数值分析。从理论上模拟得到所研究光纤的最佳长度,并分析了在不同参数情况下,信号增益与泵浦功率的相互关系。

简介：打开镜子，我看到了一个漂亮的我。我的脸圆圆的，像一个红苹果。我的头发乌黑发亮，就像蘸满墨汁的面条。我的眉毛弯弯的，像个玩具小拱桥。眼睛黑黑的，

简介：本文采用负电源纯模拟电路方案对长波段掺铒光纤放大器(L-bandEDFA)的980nm泵浦激光器的驱动电路和温度控制电路进行了设计和调试,得到符合设计要求的结果.并以此为基础对我们自制的L-bandEDFA进行了实验测试,取得了令人满意的结果.

简介：研究了全光纤相干合成激光技术的最新发展成果，对于目前常用技术的原理，性能，优缺点作了较全面的总结，分析和比较。

简介：首先叙述了光纤传输Nd3+:YAG激光的优点,接着分析了不同光纤和其传输Nd3+:YAG激光的特点.然后通过对光纤传输系统各部分的分析与设计,结合实际,设计了光纤耦合机构.最后,对来自于工件反射光问题提出了解决方案.

简介：针对超薄铝合金箔片（0.18mm）进行了光纤激光高速焊接试验研究,分析了影响光纤激光焊接效果的主要因素.通过对铝合金光纤激光焊接特性的分析,得出焊接头的准直镜与聚焦镜的焦距等对焊接接头形貌有着重要的影响的结论.在适宜的焊接工艺参数下,光纤激光焊接接头上、下表面焊缝形貌平整连续,焊缝一致性良好,拉力足够.

简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。

简介：

简介：

简介：[摘要]金属超薄板焊接，从属一项重要的技术工艺，但传统的焊接技术往往很难实现高效率及高质量地焊接。而伴随焊接技术持续的进步发展，光纤激光此项焊接工艺被研发并且应用开来，对金属材质超薄板产品开展光纤激光的焊接作业，可大幅度提升焊接效率及其质量。鉴于此，本文主要探讨金属材质超薄板产品光纤激光的焊接技术工艺，期望可以为后续更多技术工作者和研究学者对此类课题的实践研究提供有价值的指导或者参考。

简介：用增益开关掺铥光纤激光器作种子源,搭建了一个掺铥光纤主振荡放大系统。该系统增益开关种子源最大输出功率约为250mW,斜效率为28.5%;脉冲宽度为56.5ns,脉冲峰值功率为221.2W,对应的峰值功率密度约为0.35GW·cm^-2,输出光谱的3dB线宽仅0.09nm,中心波长在1942nm处。经一级放大后,激光器输出功率提高到1.33W,一级放大器斜效率达48.6%。同时,峰值功率提高到1.2kW,对应的峰值功率密度达1.86GW·cm^-2。此时,受光谱仪分辨率的限制,测得的激光3dB线宽仅为0.06nm。在二级放大器中观察到了超连续谱输出。超连续谱覆盖2~2.6μm的光谱范围,3dB带宽约490nm。

简介：采用双级级联单程放大实现高增益、低噪声的C波段掺铒光纤放大器(EDFA);采用双级级联双程放大实现高增益、超平坦的L波段EDFA.在此基础上,采用并联结构实现了30dB以上的高增益、3dB带宽为57nm的低噪声宽带EDFA.

简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：本文讨论了中央激发源在其周围包层中产生的平均辐射强度的计算问题。计算表明,通常星云理论中计算平均辐射强度的公式仅适用于光学薄的情况，且光学浓度必须用从源表面开始计量的距离计算。在有物质抛射的恒星包层中，中央星产生的平均辐射强度必须严格计算，特别是在减速星风情况下，本文提出了严格计算的公式。