简介:3月,普传科技深圳公司先后协助经销商成功签约上海世博会欧洲三个国家馆的变频器项目,这些项目对变频器的性能和品质有着很高的要求,经过公司各部门协调、努力,最终一一赢得了客户的肯定,顺利签约。
简介:北高智科技有限公司日前与台湾威盛科技(VIA)正式签署产品代理协议,从而成为VIA在中国大陆地区的正式代理商。据介绍,在由USB带来的电脑外接系统高速发展之前,VIA在其生产的逻辑芯片内部装上了USB1.1。此次北高智将与VIA合作,则旨在PC方面共同开拓广阔的中国大陆市场。
简介:由德国汉诺威展览公司携手中德两国权威行业组织、学术团体和商务机构共同举办的四大工业展会——亚洲国际电力、电工及能源技术与设备展览会、亚洲国际工厂自动化技术与设备展览会、亚洲国际过程自动化技术与设备展览会、以及中国国际金属加工工业展览会。在上海新国际博览中心拉开序幕,展会从11月1日持续到11月5日。
简介:2010年11月25日,台达电子集团子公司中达电通举办了大型的“台达C2000系列高阶矢量变频器技术研讨会”,来自包装、印刷、起重、注塑、机床、纺织等行业的两百多嘉宾积极参与了在线互动。
简介:安捷伦科技日前在两安香格里拉大酒店成功举办了“2007安捷伦电子测量仪器展暨专题研讨会”。此次为期两天的会议由安捷伦科技公司的电子测量事业部(EMG)主办,展会集中展出了安捷伦在近些年所推出的多种最新的测试仪器与系统,同时。还针对不同领域的测试应用需求在两个会场举办了20场技术讲座。
简介:本文通过比较5个商业软件包的精确度和执行时间,研究了具有固定时间和变换时间的网络仿真方法的性能差异。包含了多个三相二极管整流器和一个PWM电压源逆变器的一系列基准实例显示:对于线性电路来说,固定时间步长法的仿真时间更短一些;然而,为了得到精确的结果,即使对于低开关频率的PWM应用都可能需要非常小的时间步长。否则,如果使用的时间步长过大,即使波形看起来是正确的,PWM逆变器控制信号也可能有严重的错误。
简介:本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。
简介:2009年12月19日,河北华整实业有限公司承担的河北省科技支撑计划项目《钨铜新型电子复合材料》鉴定验收会议在石家庄成功召开。会议经河北科技厅组织,由衡水市科技局主持,邀请有关专家组成鉴定委员会和验收委员会。景县县委、政府对该项目产品的研发成功和鉴定验收予以高度重视,政府县长李建刚同志、刘兰智副县长参加了此次会议。
简介:近年来.随着国家对食品、药品等产品安全管理的日益关注,如何建立一个完善的产品追溯体系已经被提上了企业的议事日程。企业的追溯体系主要实现两项目标:一是自上而下进行追踪,即从原材料供应商、生产管理、成品、物流、经销商至终端消费者可进行产品销售渠道及质量管理的追溯;二是自下而上进行追溯,可由消费者向上追溯查找问题所在。
简介:随着我国高压变频器技术的不断发展和成熟,高品质10MVA以上高压大功率变频器打破国外垄断的时机已经到来,大功率、高集成度、高密度功率单元、模块化设计、转速矢量控制已成为发展趋势,并在一些领域取得了成功。
简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。
简介:英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat)IGBT。此类IGBT专门针对50Hz至20kHz的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源(UPS)以及光伏逆变器和逆变焊机中。新L5系列基于TRENCHSTOPtM5薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。
简介:本刊编辑部之所以开辟“企业访谈”这个栏目,是为了让读者了解那些他们经常用到其产品,但对其全貌又不十分清楚的国内外著名公司。如石家庄博证电子科技有限公司,希望通过我们的介绍,使客户对该公司的历史沿革、经营策略、技术和产品发展路径有一个全面的了解,对选择其产品和服务树立更多的信心。每个成功的企业都有其自身内在的因素,而其中特色才是使之立于不败之地的关键。每采访一个企业,一个人物,我们最想发现的便是他与众不同的地方。
简介:介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。
简介:本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。
走进世博不负众望——热烈祝贺普传变频器成功进驻世博会
北高智签约VIA,拓展大陆地区PC市场
亚洲能源展、亚洲自动化展及中国国际金属加工展成功召开
台达:C2000系列高阶矢量变频器技术研讨会完满成功
“2007安捷伦电子测量仪器展暨专题研讨会”在西安成功举行
电力电子系统应用的时间域网络解析器的精确度和速度
650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件
河北华整实业《钨铜新型电子复合材料》项目鉴定会议圆满成功
多米诺的新型追踪追溯系统成功为多家企业实现产品追踪追溯解决方案
大功率高压变频器在中石油西气东输天然气管道压气站电驱压缩机组的应用
线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真
英飞凌推出新型IGBT,将工作在50Hz至20kHz下的总功耗成功降至最低水平
王文博:成功得益于术业专攻--访石家庄博亚电子科技有限公司总要理 王文博先生
开关电源主电路基本拓扑的演变(Ⅰ) DC-DC变换器理论早期的历史回顾
用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器