简介：等离子体的辐射不透明度和状态方程是工程物理中的重要参数，这些物理参数取决于等离子体内大量离子的统计行为。由于高温稠密等离子体内的离子类型多达百万，一般只能用平均原子模型进行模拟。当计算轻元素稀薄等离子体原子结构时，平均原子结果与实验有一定的偏差，而此时等离子体内离子类型数目有限，正是细致组态模型适用的情况。标准的Saha方程需要孤立离子的能级，计算孤立离子结构的程序很多。当然，这些离子能级还可从实验获得。但是，标准的Saha方程使用的能级不含等离子体背景效应，能级数会发散。为了消除该缺陷，Saha方程中引进了等离子体背景修正。
简介：采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。
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