简介：算术编码作为一种无损压缩方法得到广泛应用,但该算法对区间参数的运算采用递推模式,这种串行流程在多核及并行等资源环境下不适用,且执行效率较低。从固定概率空间二进制算术编码角度,先推导出编码序列区间参数非递推模式计算公式,进而得出序列分段各自编码,再合并计算原序列区间参数的计算公式,并从理论上证明了算法可行性。给出了算法物理意义描述和典型编码流程,针对多核和并行等资源环境提出了纵向和横向分段思路,并采用实际序列验证了算法正确性。该算法在某情报网关设备中应用可见,在确保压缩效果不变基础上,可使各中央处理器(CPU)核之间负载基本持平,有效利用了多核计算资源,将情报报文吞吐量提升近1倍,效果良好。

简介：液体二氧化碳是一种新的环保型清洗剂，应用在织物干洗上达到了较佳的清洗效果。本文介绍了液体二氧化碳溶剂的性能、洗涤原理和在干洗织物上的应用。

简介：

简介：<正>美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司在开发SiC功率电子新产品方面迈出了一大步,实验演示了一种1cm~2SiC二极管芯片。他们所制作的这种4H—SiC肖特基二极管的阻塞电压为300V,正向电流高至300A。该二极管芯片是用4H—SiC制

简介：前言：上期我们谈到“无铅技术的发展和对中国SMT界的影响大观”，知道了无铅技术的推行只是个时间上的问题。而对某些行业和企业来说，虽然距离必须推行的期限还有一段时间，不过当考虑到推行所需要的大量准备工作时，此刻已经可算是件急事了。我在下期的文章中会和大家分享在无铅技术的引进和管理工作上的一些关键的考虑点。

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简介：美国能源部ORNL国家实验室的研究者们将一种新型合成工艺和商用电子束光刻技术结合起来,在单一纳米级厚度的半导体晶体内实现了一种随机图案的二维半导体异质结阵列。该工艺主要技术是将目前采用的单层晶体的图形区域改造成其他形态。研究者们首次在衬底上生长出了单层纳米级别厚度的MoSe2晶体,并利用标准

简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：自对准双重图型（SADP）技术广泛应用于28nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术（LELE,LPLE）相比,在处理二维图形分解时,SADP面临更复杂的要求。针对一种简单的二维图形,介绍了3种图形分解方法,可以有效改善线宽和对准工艺窗口。

简介：研究了空管系统中1090ES脉冲信号交叠问题的解决途径。讨论了利用Wigner-Ville分布（WVD）时频分析解脉冲交叠的可能性,提出了二次拐点法从时域上分离2个交叠脉冲的方法。仿真结果表明,二次拐点法适用于多种交叠情况。

简介：摘要伴随着网络技术以及移动智能终端的发展，移动支付已经成为了金融支付的主流方式，而二维码支付演变成为最重要的支付手段，该方式对当代金融支付起到变革性的作用。二维码在支付过程中也存在一系列安全性问题。本文通过实践分析，对二维码的支付原理以及支付过程所遇到的问题进行反复论证，发现容易出现数据被篡改或者伪造，甚至会有病毒传播等风险，必须要对交易过程中产生的数据进行加密措施。本文阐述了便捷二维码卡刷设备制作的原理以及安全加密等措施，本设备对支付二维码进行识别后，通过支付者的指纹确认，完成支付动作。本设备体积小巧，可以配带挂绳，携带方便，在手机支付不便时或手机未携带的情况时应急使用，也可以作为个体商户以及小摊营业人员使用，适合所有群体使用。

简介：2006年10月25日，英特尔公司与成都市共同见证了英特尔成都芯片封装测试项目二期工程的竣工仪式。一年前建成投产的一期芯片组工厂在这一天还迎来了第1880万颗芯片组产品下线。这一工程不仅写照了英特尔对中国市场的持续投入，同时体现了英特尔对于中国政府“西部大开发”战略的鼎力支持。

简介：在光纤通信系统中，超短光脉冲的检测一直是一个重要的问题。二次谐波强度自相关法是被广泛使用的超短光脉冲波形测量的方法。由于光纤通信系统中光功率很低，使得满足晶体的相位匹配变得更加重要。KN作为双轴晶体相位匹配问题比较复杂，本文从双轴晶体主平面上的相位匹配出发，讨论KN的相位匹配问题，得到其在光纤通信波段1．55um处的最佳相位匹配参量。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：偏振模色散（PMD）已经成为高速光纤通信系统发展的严重障碍。我们将粒子群优化（ParticleSwarmOptimization—PSO）算法作为偏振模色散自适应补偿中的反馈控制算法，对光链路中的PMD信号进行收索跟踪，并控制偏振控制器（PolarizationController—PC），成功的实现了对二阶PMD的自适应补偿。实验结果表明，粒子群优化算法能够避免陷入局部极值而快速的搜索全局最佳值，同时它还具有很强的抗链路噪声的能力，补偿效果良好。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：