简介：O484.12003053763紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究=CharacterisationofDCreactivemagnetronsputteredZnOfilms[刊,中]/杨晓东(西北大学光子学与光子技术研究所.陕西,西安(710069)),张景文…//光子学报.-2002,31(10).-1216-1219采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退

简介：O484.12000031960一种碳涂覆光纤碳膜厚度在线控制技术=Anonlinecontinuousmoniforingtechniqueofcarbonhermeticcoatingthickness[刊,中]/仇斌(深圳宝兴电线电缆制造有限公司.广东,深圳(518000))//应用光学.—1999,20(3).—40-41为了控制长长度碳涂覆光纤和对光纤碳膜厚度进行在线监控,开发了一种碳涂覆光纤碳膜厚度在线监控技术。试验结果表明,该技术是行之有效的。图2参4(吴淑珍)TB432000031961阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的研究=Researchon

简介：O484.12002042861Si基的RICBD法生长GaN薄膜=GaNfilmsgrownbyRICBDonSisubstrates[刊,中]/蔡先体,黄启俊,黄浩,孟宪权,郭怀喜,范湘军(武汉大学物理系.湖北,武汉(430072))∥半导体光电.—2001,22(1).—26-30讨论了反应离化团簇束沉积(RICBD)方法的原理

简介：依据工作原理,比较了掠出射X射线荧光分析技术(GEXRF)和掠人射X射线荧光分析技术(Gl一XRF)的优缺点,比较角度包括实验装置、探测限、可探测元素范围、基体效应以及实验精度。比较结果表明,GEXRF的优点体现为:对实验装置要求低,对轻元素(4

简介：分析了等效中子注量在线测量系统研制的要素，确定了探测器制作、连接、退火、数据采集等关键工艺，研制了等效中子注量在线测量系统，实现了探测器的小型化以及多路测量。经实验验证，该系统的中子注量测量结果与用活化箔法测量的结果吻合。

简介：运用等离子喷涂技术制备多层屏蔽复合涂层，根据钽、钨、锡材料的物理特性及工艺特点，分别设计了自动喷涂工艺，既保证了涂层的性能，又提高了喷涂工艺的重复性；在喷涂区域使用氩气保护装置制造局部隋性气氛，简便有效地控制了涂层材料在高温等离子体喷射过程中的氧化：综合使用温度测试、力学拉伸、金相组织及化学成分等分析方法，综合考虑优化喷涂功率、喷涂距离等喷涂参数对基体温度、涂层中氧化物含量、涂层密度的影响，优化喷涂工艺参数，制备出厚度均匀、绢织致密的Ta／W/Sn复合涂层。

简介：5A06铝合金在工业上广泛应用，但一般熔化焊接方法很难避免铝合金焊接气孔的产生，从而影响焊缝质量。而近年出现的搅拌摩擦焊是一种固态连接，与传统的方法相比具有其独特的优点，能解决铝合金焊接出现的气孔、夹渣等焊接缺陷问题。

简介：针对某曲面薄壁异形件的旋压加工，采用强旋、普旋方法，从旋压件贴模、壁厚、旋压道次、裂纹等方面做了对比试验，探索旋压成形的规律。

简介：大型激光装置的聚焦光斑的光强均匀性、能量利用率和旁瓣等都有非常苛刻的要求：能量利用率需大于90％；不均匀性小于5％而且要求激光束旁瓣非常小。就当今光学技术水平而言，由于光学元件的制作精度、材料的非均匀性以及高功率激光的非线性效应等共同影响，使得激光装置输出的激光束无法满足要求。

简介：膜分离技术具有能耗低、单级分离效率高、工艺简单、不污染环境等突出优点，在处理铀污染废水中应用前景广阔。作者曾采用混凝沉淀并结合中空纤维膜微滤（如．22μm）一体化工艺（CMF）处理含镅废水：研究了体系pH值、硫酸亚铁加入量等工艺参数的影响，并确定了最优参数；经该工艺处理后的废水中^241Am浓度小于最大允许排放浓度（1Bq／L），去污率大999．9％，去污因子1309-47600，平均浓缩倍数为190，相当于现有的两级蒸发工艺水平，并投入了实际应用，处理含^241Am废水约60m^3。

简介：论述了离子束曝光技术的原理、特点,分析了其面临的关键技术问题,如掩模技术、离子源技术、图像对准技术等,并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及

简介：O433.42001031602椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用=SpectroscopicellipsometryanditsapplicationstostudyofradiationdamageformedbyionimplantationintoSi[刊,中]/阳生红,莫党(中山大学物理系.广东,广州(510275))∥半导体技术.-2000,25(5).-33-37介绍了椭圆偏振光谱的原理,给出了椭偏仪在离子

简介：TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限

简介：

简介：TN242/TN929.1195063650尾纤化非共焦FP谐振腔及其在光纤频分复用系统中的应用=TheperformanceofapigtailednonconfocalFPresonatorinanopticalfiberFDMtransmissionsystem[刊,中]/刘宇乔,钟祖平(上海交通大学光纤技术研究所)//光通信技术.—1994,18(4).—275—277

简介：O433.532000053066Cu弧光谱的多道采集及其温度解析=MultichannelcollectingandtemperaturemeasuringofCuarcplasmaspectra[刊,中]/靳丽红,李明中,钟先琼,杨经国(四川大学物理系.四川,成都(610064))//四川大学学报.自然科学版.—1999,36(3).—483-487以CCD多道分析器对Cu弧等离子体光谱强度进行高精度实时采集,并以Hg灯谱为标准对Cu弧激光谱

简介：利用FMECA（FailureMode、EffectsandCriticalityAnalysis）方法对电爆管在作用过程中的故障原因、后果及影响的严重程度进行了分析，划分了严酷度类别和发生概率等级，结果如表1所示。

简介：电火花加工是基于工具与工件间脉冲性火花放电产生的电腐蚀现象来加工工件的，特别适用于复杂形状、特殊要求零件和难加工材料的加工。但是电火花加工r机理极其复杂，加工参数的选择在很大程度上取决于机床操作者的熟练程度，由于操作者的经验和知识所限，往往使电加工机床的性能和功能得不到充分发挥，甚至达不到加工要求。电火花加工所选取的工艺参数直接决定工艺效果，而工艺参数和工艺效果之间的关系异常复杂，解决工艺参数选择难的关键是建立一个合理有效的电火花加工选择模型，进而实现工艺参数的自动优化选取。

简介：综合实践活动与通用技术两课程理念相近、特征相似,都注重实践强调合作,两课程若能有机融合,将充实综合实践活动教师队伍,促使新颁布的综合实践活动纲要可操作能落地;拓展通用技术教学时空、丰富通用技术课程资源、强化通用技术教师生活教育理念,在真实开放的实践情境中,使学生能深刻体会设计的一般过程,并形成问题解决方案,促进学科结构、流程、系统、控制四大概念引领大项目、大过程的技术实践学习。

简介：TK513.12004053748相交圆聚光器的计算机优选设计=Optimizeddesignonintersectingcirclepumpedcavities[刊,中]/张国顺(天津大学精密仪器与光电子工程学院,光电信息技术科学教育部重点实验室。天津(300072)),许宝忠…∥光电子·