简介:摘要:本项目拟采用局部刻蚀的方法,在SOI顶层硅上引入U型对称敏感电阻及L型半岛结构,实现高灵敏度、低非线性误差的MEMS压力敏感芯片制作。量程为100kPa的硅压阻式压力敏感芯片测试后其灵敏度达到40mV/mA,非线性误差小于±0.1%FS。
简介:摘要:虚假接地是指系统没有发生接地故障时,系统3U0较高出现接地告警的情况。如铁磁谐振、高压熔丝熔断、电压互感器二次接线错误等都会使零序PT或开口三角两端出现零序电压,并可能导致小电流接地补偿软件动作,出现虚接地现象,给调度与运检人员在故障判断、原因分析及异常处理时带来严重的困难,有时将错误判断异常及故障原因,严重影响处置效率、用户用电时间,并浪费人力物力,因此研究此类特殊的异常现象对电网异常处置具有十分重要的现实意义。本文针对一起220kV变电站中性点不接地系统母线虚假接地异常进行了回顾梳理,分析了异常处理经过及异常产生的原因,为国内相似异常及事故处理提供经验与参考。