简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：单片逆变集成电路已经广泛应用到空调的风机驱动上，它易于受到噪声的干扰。我们为交流220V单片逆变集成电路开发了窄带滤波器来抵抗噪声，它有可以缩短延迟时间的充电和放电加速器，也有滞后电路可以抑制任何阶段产生的噪声。它被置于上/下驱动电路的前级来抑制源于任何输入端子的噪声。本文最后用实验验证了窄带噪声滤波器非常出色的效果。

简介：为确保《标准化“十一五”发展规划》得到落实，国家标准化管理委员会提出标准化自主创新12项措施。近日，记者采访全国印刷标准化技术委员会秘书长李安．他说：”规划和措施的推出，目的就是要用10年左右的时间跨越我国与发达国家标准化工作约30年的差距。”

简介：随着指纹识别技术日渐成熟及指纹采集设备价格的大幅度下降，普及指纹身份验证系统的时机越来越成熟。在目前的指纹自动识别技术的基础上对指纹处理算法做了较大的改进，使算法非常实用可靠。在此技术前提下介绍用MCS-51和MotorolaDSP56311构建主从式指纹自动识别系统的技术要点。

简介：按《中国广播电视直播卫星“村村通”系统技术白皮书》标准，中九一代信号的下行频率分别是11840、11880、12100和12140MHz，中九一代接收机配套使用的降频器（高频头），频率固定为10750MHz，中频输入频率要在950—2150MHz范围内，

简介：

简介：最近在镇江市新区大学创业园区,由国内资深专家团队领衔的江苏豪然喷射成形合金有限公司自主创新,成功开发了国内首台（套）大型喷射成形装备、自动生产控制系统和成熟工艺技术。高硅铝合金复合材料试制成功并投入生产,其技术指标赶超国际先进水平,

简介：作为国民经济的重要组成部分之一，我国医药制造行业的工业产值十多年来一直保持高速增长水平。行业的快速发展在导致市场竞争更为激烈的同时，也加剧了医药企业的优胜劣汰。

简介：

简介：在工控领域,随着自动化、高效化及节能化需求的日益增长,出于对驱动系统的高可靠性与安全性等因素的考虑,变频驱动器的用途正在迅速扩大作为世界一流的传动产品制造商,安川电机在电动力的提供、工业自动化的应用、机电产品的创新乃至机器人等领域,一直为社会提供着时代最先进的技术。

简介：上期845摩机一文（《音响世界》第181期《精雕细刻成大器——845单端放大器打摩记》）的结尾段曾提及我还有些想法要实施，现经一段时间休整后又提上日程。在上一期的文章中就曾提及每级之间推动力的配合问题，也因此将300B的推动胆由5881A改为EH的6H30Pi。在诸多的想法中，现在最迫切的是要验证在我的系统中，300B与845两级之间推动力的配合是否已最合适。

简介：金属和金属化合物多年来一直在塑料生产中扮演重要角色。它们多不是以化学键的形式和聚合物基质结合，而是以包囊的形式存在在其中。所以在长期的使用过程中会慢慢释放到周围环境中。同样的，当处置塑料垃圾的时候，不管是通过焚烧还是掩埋的方式，从塑料中释放出的有毒金属元素都会对大气或土壤造成污染。所以塑料制品对环境负责的做法就需要对塑料生产，回收利用和处理过程的每一个环节都对重金属予以注意和监控。

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简介：本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。

简介：10月29日，中国电信重庆公司首批去IOE小型机设备正式下线，标志着重庆公司“告别小型机”时代正式来临。“去IOE”是指使用以“x86的硬件＋开源软件”为代表的互联网化技术架构，替换传统IT平台部署中以IBM设备为代表的小型机、以Oracle数据库为代表的商用软件、以及以EMC设备为代表的高端存储设备。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。